[发明专利]光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法

权利要求书

1.一种光电子半导体器件(100)，所述光电子半导体器件具有

-光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片具有透射辐射面(1A)和多个侧面(1B)以及与所述透射辐射面(1A)相对置地设置的后侧表面(1C)，大部分辐射穿过所述透射辐射面，所述侧面横向于所述透射辐射面(1A)设置，

-成型体(2)，所述成型体构成为是双层的并且具有透射辐射侧的主面(2A)、多个侧面(2B)和后侧主面(2C)，其中所述光电子半导体芯片(1)部分地嵌入到所述成型体(2)中，并且其中所述成型体(2)由模塑料(200)形成，所述模塑料至少部分地覆盖所述半导体芯片(1)的至少两个侧面(1B)和所述后侧表面(1C)，

-第一接触层(3A)和第二接触层(3B)，所述第一接触层和所述第二接触层设置在所述成型体(2)上并且设置用于所述半导体芯片(1)的电连接，并且具有第三接触层(3C)，所述第三接触层(3C)设置在所述成型体(2)的第一层和第二层(21，22)之间，其中所述半导体芯片(1)的所述后侧表面(1C)和所述第一接触层(3A)借助所述第三接触层(3C)相互连接，

-安装面(4)，所述安装面横向于所述透射辐射面(1A)设置并且设置用于安装所述半导体器件(100)，其中所述成型体(2)具有凸出的子区域(8A，8B)，所述子区域设置在所述半导体芯片(1)的侧面(1B)上并且具有第一尺寸(T)和第二尺寸(B)，所述第一尺寸和所述第二尺寸分别大于所述半导体芯片(1)的最小尺寸(D)，其中所述第一接触层和所述第二接触层(3A，3B)从所述透射辐射侧的主面(2A)分别延伸至所述成型体(2)的侧面(2B)上，所述侧面横向于安装面(4)设置。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件(100)，

其中所述半导体芯片(1)的所述透射辐射面(1A)和所述成型体(2)的透射辐射侧的主面(2A)分别形成所述半导体器件(100)的透射辐射侧的表面(100A)的一部分，所述透射辐射侧的表面对所述半导体器件(100)在其透射辐射侧上向外限界。

3.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件(100)，

其中凸出的所述子区域(8A，8B)的所述第一尺寸(T)和所述第二尺寸(B)是所述半导体芯片(1)的最小尺寸(D)至少两倍大。

4.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件(100)，

其中所述成型体(2)的所述侧面(2B)是所述成型体(2)的外面。

5.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件(100)，

其中所述半导体器件(100)的所述安装面(4)的至少一部分通过所述成型体(2)的侧面(2B)形成，并且其中这两个所述接触层(3A，3B)的至少一个延伸直至所述侧面(2B)上。

6.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件(100)，

其中所述半导体器件(100)的所述安装面(4)的一部分通过所述光电子半导体芯片(1)的侧面(1B)形成。

7.一种用于制造根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件(100)的方法，所述方法具有下列步骤：

-提供由多个光电子半导体芯片(1)构成的复合结构，所述光电子半导体芯片以其透射辐射面(1A)设置在共同的载体(40)上，

-将所述光电子半导体芯片(1)嵌入到模塑料(200)中，所述模塑料设置用于制造双层的成型体(2)，其中在所述成型体(2)的第一层和第二层(21、22)之间构成第三接触层(3C)，并且其中所述光电子半导体芯片(1)嵌入到模塑料(200)中，使得所述半导体芯片(1)的所述后侧表面(1C)和所述侧面(1B)由所述模塑料(200)覆盖，其中为每个半导体芯片(1)配设有所述模塑料的凸出的子区域(8A，8B)，所述子区域设置在所述半导体芯片(1)的侧面(1B)上并且具有第一尺寸和第二尺寸(T，B)，所述第一尺寸和所述第二尺寸分别大于所述半导体芯片(1)的最小尺寸(D)，

-剥离共同的所述载体(40)，

-将第一金属化部和第二金属化部施加到所述模塑料上以构成第一接触层和第二接触层(3A，3B)，其中分别将所述半导体芯片(1)的所述后侧表面(1C)和所述第一接触层(3A)借助所述第三接触层(3C)相互连接，

-分割成多个光电子半导体器件。

8.根据权利要求7的方法，

其中所述模塑料(200)作为中断的层施加。