[发明专利]光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法

说明书

技术领域

本发明提供一种具有光电子半导体芯片的光电子半导体器件。光电子半导体器件尤其是发射辐射的半导体器件，所述半导体器件构成为侧向发射器。

此外，提出一种用于制造光电子半导体器件的方法。尤其该方法以所谓的CiF技术(CiF，“Chip in a Frame”，芯片在框架中)为基础，其中光电子半导体芯片部分地嵌入到用作载体的成型体中。

背景技术

发明内容

本申请的目的是，提供一种机械稳定的光电子半导体器件，所述光电子半导体器件适合用于侧向地发射辐射或吸收辐射。另一目的是，提供一种用于制造机械稳定的光电子半导体器件的方法，所述光电子半导体器件适合用于侧向地发射辐射或吸收辐射。

通过一种光电子半导体器件和一种用于制造光电子半导体器件的方法实现该目的。方法和装置的有利的改进方案和实施方式在实施例中给出并且从下列描述和附图中得知。

一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件具有

-光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片具有透射辐射面和多个侧面以及与所述透射辐射面相对置地设置的后侧表面，大部分辐射穿过所述透射辐射面，所述侧面横向于所述透射辐射面设置，

-成型体，所述成型体构成为是双层的并且具有透射辐射侧的主面、多个侧面和后侧主面，其中所述光电子半导体芯片部分地嵌入到所述成型体中，并且其中所述成型体由模塑料形成，所述模塑料至少部分地覆盖所述半导体芯片的至少两个侧面和所述后侧表面，

-第一接触层和第二接触层，所述第一接触层和所述第二接触层设置在所述成型体上并且设置用于所述半导体芯片的电连接，并且具有第三接触层，所述第三接触层设置在所述成型体的第一层和第二层之间，其中所述半导体芯片的所述后侧表面和所述第一接触层借助所述第三接触层相互连接，

-安装面，所述安装面横向于所述透射辐射面设置并且设置用于安装所述半导体器件，其中所述成型体具有凸出的子区域，所述子区域设置在所述半导体芯片的侧面上并且具有第一尺寸和第二尺寸，所述第一尺寸和所述第二尺寸分别大于所述半导体芯片的最小尺寸，其中所述第一接触层和所述第二接触层从所述透射辐射侧的主面分别延伸至所述成型体的侧面上，所述侧面横向于安装面设置。

一种用于制造光电子半导体器件的方法，所述方法具有下列步骤：

-提供由多个光电子半导体芯片构成的复合结构，所述光电子半导体芯片以其透射辐射面设置在共同的载体上，

-将所述光电子半导体芯片嵌入到模塑料中，所述模塑料设置用于制造双层的成型体，其中在所述成型体的第一层和第二层之间构成第三接触层，并且其中所述光电子半导体芯片嵌入到模塑料中，使得所述半导体芯片的所述后侧表面和所述侧面由所述模塑料覆盖，其中为每个半导体芯片配设有所述模塑料的凸出的子区域，所述子区域设置在所述半导体芯片的侧面上并且具有第一尺寸和第二尺寸，所述第一尺寸和所述第二尺寸分别大于所述半导体芯片的最小尺寸，

-剥离共同的所述载体，

-将第一金属化部和第二金属化部施加到所述模塑料上以构成第一接触层和第二接触层，其中分别将所述半导体芯片的所述后侧表面和所述第一接触层借助所述第三接触层相互连接，

-分割成多个光电子半导体器件。

根据至少一个实施方式，光电子半导体器件包括具有透射辐射面、多个侧面、以及与透射辐射面相对置地设置的后侧表面的光电子半导体芯片，所述侧面横向于透射辐射面设置。尤其透射辐射面的特征在于，大部分的例如在运行中由光电子半导体芯片产生的辐射透射穿过所述透射辐射面。半导体芯片的透射辐射面尤其形成半导体器件的透射辐射侧的表面的一部分。半导体器件优选在透射辐射侧上通过透射辐射侧的表面向外限界。

光电子半导体器件优选包括成型体，所述成型体由模塑料形成。模塑料能够包含塑料材料，例如热固性材料，如环氧化物或硅酮。此外，模塑料能够具有填充材料，例如无定形的二氧化硅、氮化硼或氧化铝。填充材料计占模塑料的份额尤其为至少50重量百分比。此外，模塑料能够包含添加剂、如白色颜料或烟煤，所述添加剂给予成型体特有的颜色、如白色或黑色。添加剂计占模塑料的份额尤其为10至15重量百分比。