[发明专利]检定用于显微光刻的图案的合格性

权利要求书

1.一种检定光刻光罩合格性的方法，所述方法包括：

使用光学光罩检验工具从所述光罩的每一图案区域获取不同成像配置的至少两个图像；

各自基于来自所述光罩的每一图案区域的至少两个图像而重新构建光罩图案；

针对每一重新构建的光罩图案而在此重新构建的光罩图案上模型化具有两种或两种以上不同工艺条件的光刻工艺以产生两个或两个以上对应模型化测试晶片图案；以及

各自分析两个或两个以上模型化测试晶片图案以识别所述光罩图案的热点图案，所述热点图案易受所述不同工艺条件的影响，而改变由此类热点图案形成的晶片图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中不同成像配置下的所述至少两个图像包含经反射及经透射图像。

3.根据权利要求1所述的方法，其中不同成像配置下的所述至少两个图像包含具有不同光瞳形状及/或不同焦点条件的至少两个经反射图像。

4.根据权利要求1所述的方法，其中不同成像配置下的所述至少两个图像包含可通过数学迭代过程从其确定掩模的图案的振幅及相位的信息。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述两种或两种以上不同工艺条件包含两种或两种以上不同曝光及焦点设置。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述两种或两种以上不同曝光及焦点设置包含来自焦点曝光矩阵FEM的多个曝光及焦点设置。

7.根据权利要求5所述的方法，其中模型化包含模型化光致抗蚀剂材料。

8.根据权利要求7所述的方法，其中模型化包含模型化蚀刻或化学机械平坦化CMP工艺。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在运用此光罩的大量晶片制造开始之前或在运用此光罩的任何晶片制造之前识别热点图案。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

基于多个后光学接近校正设计图案而模拟多个参考光罩图案；以及

对每一参考光罩图案执行所述模型化操作以产生两个或两个以上对应模型化参考晶片图案，

其中分析包含比较每一模型化测试晶片图案与其对应参考晶片图案，及当源自此比较的差异超过预定阈值时，识别此模型化测试图案的热点图案。

11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括针对参考及测试光罩图案识别多个初始热点位置，及产生仅对应于初始热点位置的模型化测试及参考晶片图案。

12.根据权利要求1所述的方法，其中在每一热点图案的对应两个或两个以上模型化测试晶片图案针对所述两种或两种以上不同工艺条件变化达预定量时识别所述热点图案。

13.根据权利要求1所述的方法，其中各自分析两个或两个以上模型化测试晶片图案包含分析多个对应后OPC设计图案以区分所述两种或两种以上不同工艺条件对用以制造所述光罩的设计的作用与所述两种或两种以上不同工艺条件对所述光罩的作用。

14.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括以低于未对应于经识别热点图案的晶片图案的阈值来检验由此光罩制造的对应于所述经识别热点图案的晶片图案。

15.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括修改对应于经识别热点图案的设计图案及基于此经修改设计图案而制造新光罩。