[发明专利]检定用于显微光刻的图案的合格性

说明书

本发明揭示用于检定光刻光罩合格性的方法及设备。光罩检验工具用以从所述光罩的每一图案区域获取不同成像配置的至少两个图像。各自基于来自所述光罩的每一图案区域的至少两个图像重新构建光罩图案。针对每一重新构建的光罩图案，在此重新构建的光罩图案上模型化具有两种或两种以上不同工艺条件的光刻工艺以产生两个或两个以上对应模型化测试晶片图案。各自分析两个或两个以上模型化测试晶片图案以识别所述光罩图案的热点图案，所述热点图案易受改变由此类似热点图案形成的晶片图案的所述不同工艺条件的影响。

相关申请案的交叉参考

本申请案根据35U.S.C.§119主张由石瑞芳(Rui-Fang Shi)等人于2013年8月20日申请的标题为“在大量制造之前检定用于显微光刻制造的图案的合格性(QualifyingPatterns for Microlithographic Fabrication Prior to High VolumeManufacturing)”的第61/867,939号先前美国临时申请案的优先权，所述申请案的全文出于所有目的以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明大体上涉及光罩检验领域。更特定来说，本发明涉及图案合格性检定。

背景技术

一般来说，半导体制造产业涉及使用分层堆放且图案化到衬底(例如硅)上的半导体材料来制造积分电路的高度复杂技术。归因于大规模的电路集成化及半导体装置的大小逐渐减小，所制造的装置对缺陷越来越敏感。即，引起装置的故障的缺陷变得越来越小。在运送到最终用户或顾客之前，装置是无故障的。

集成电路通常由多个光罩制造。最初，电路设计者将描述特定集成电路(IC)设计的电路图案数据提供到光罩生产系统或光罩写入器。电路图案数据通常呈所制造IC装置的物理层的代表性布局的形式。代表性布局针对IC装置的每一物理层(例如，栅极氧化物、多晶硅、镀金属等等)包含代表性层，其中每一代表性层由界定所述特定IC装置的层的图案化的多个多边形组成。光罩写入器使用电路图案数据以写入(例如，通常使用电子束写入器或激光扫描器以曝光光罩图案)稍后将用以制造特定IC设计的多个光罩。

光罩或光掩模是含有至少透明及不透明区域且有时含有半透明及相移区域(其一起界定电子装置(例如集成电路)中的共面特征的图案)的光学元件。在光刻期间使用光罩以界定半导体晶片的指定区域以进行蚀刻、离子植入或其它制造工艺。

在制造每一光罩或光罩群组之后，通常检定每一新光罩的合格性以用于晶片制造。举例来说，光罩图案需要无可印刷缺陷。因此，不断需要经改进的光罩检验及合格性检定技术。

发明内容

以下呈现本发明的简化概述以提供对本发明的某些实施例的基本理解。本概述并非本发明的广泛综述，且其未识别本发明的关键/重要元素或描绘本发明的范围。本概述的唯一目的是以简化形式呈现本文中揭示的某些概念而作为稍后呈现的更详细描述的序言。

在一个实施例中，揭示一种检定光刻光罩合格性的方法。光罩检验工具用以从所述光罩的每一图案区域获取不同成像配置的至少两个图像。光罩图案基于来自所述光罩的每一图案区域的至少两个图像而重新构建。对于每一重新构建的光罩图案，在此重新构建的光罩图案上模型化具有两种或两种以上不同晶片工艺条件的光刻工艺以产生两个或两个以上对应模型化测试晶片图案。各自分析两个或两个以上模型化测试晶片图案以识别光罩图案的热点图案，所述热点图案易受改变由此类热点图案形成的晶片图案的不同工艺条件的影响。