[发明专利]功能性膜

说明书

技术领域

本发明涉及功能性膜。所谓本发明的功能性膜，是具有功能的膜，所谓功能，意味着通过物理的和/或化学的现象所发挥的作用。本发明的功能性膜中含有气体阻隔层、电绝缘层、硬涂层(耐伤层)、防异物附着层、折射率控制层等的具有各种功能的膜。

背景技术

以往，作为功能性膜的一例的二氧化硅系陶瓷膜，已知在例如半导体器件、液晶显示装置、有机EL显示装置、印刷电路基板等各种各样的领域是有用的。

例如，非专利文献1(J.S.Lewis and M.S.Weaver，“Thin-Film Permeation-Barrier Technology for Flexible Organic Light-Emitting Devices”，IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics，第10卷，第1期，2004，第45-57页)中公开了大量采用在真空下施加高能量的真空制膜法、或者对湿法制膜的二氧化硅系陶瓷膜的前体施加热、光等的能量等方法制造的二氧化硅系陶瓷膜。

发明内容

但是，上述这样的二氧化硅系陶瓷膜在高温高湿下的耐久性不充分，在非常长期、严酷的高温高湿下使用的情形、以反复被弯曲的方式使用的情形下不具有足够的耐弯曲性，需要其改善。

因此，本发明鉴于上述实际情况而完成，目的在于提供高温高湿下的耐久性和耐弯曲性优异的功能性膜。

本发明人为了解决上述的问题，进行了深入研究。其结果，发现：通过提供下述的功能性膜，可解决上述课题，以致完成了本发明，该功能性膜含有由下述化学式(1)表示的化学组成，且相对于IR光谱中观察的1050cm^-1附近的来自Si-O的吸收的强度、2200cm^-1附近的来自Si-H的吸收的强度之比(I_[Si-H]/I_[Si-O])为0.03以下，

[化1]

SiM_wO_xN_yC_z…(1)

(式中，M表示选自由长式元素周期表的第13族元素组成的组中的至少1种，w、x、y及z为M、氧、氮及碳各自相对于硅的元素比，满足下述数学式(1)～(4)：

[数1]

0.01＜w＜1.00…数学式(1)

1.00＜x＜2.50…数学式(2)

0.00≤y＜0.40…数学式(3)

0.01＜z＜1.00…数学式(4)。)

附图说明

图1是示意地表示了含有本发明的功能性膜的气体阻隔性膜的制造中可以使用的CVD装置的一实施方式的概略图。在图1中，10表示等离子体CVD(PECVD)装置，11表示薄膜形成用基板，12表示腔室，13表示上部电极，14表示下部电极，15表示电源装置，16a及16b表示原料气体贮存部，16c表示伴随气体贮存部，17表示配管，18表示气体导入口，19表示等离子体放电区域，20a、20b、20c及22表示阀，21表示真空泵。

图2为示意地表示了本发明涉及的气体阻隔性膜的制造中可以使用的CVD装置的一实施方式的概略图。在图2中，2表示基材，31表示制造装置，32表示送出辊，33、34、35及36表示输送辊，39、40表示成膜辊，41表示气体供给口，42表示等离子体产生用电源，43及44表示磁场产生装置，45表示卷取辊。

具体实施方式

以下对于用于实施本发明的方式详细地说明。应予说明，本发明并不只限定于以下的实施方式。另外，附图的尺寸比率为了说明的方便而予以夸大，有时与实际的比率不同。另外，本说明书中，表示范围的“X～Y”意味着“X以上且Y以下”，“重量”和“质量”、“重量％”和“质量％”以及“重量份”和“质量份”作为同义语处理。另外，只要没有特别说明，操作及物性等的测定在室温(20～25℃)/相对湿度40～50％的条件下测定。

{功能性膜}

根据本发明的第一方式，提供功能性膜，其含有由下述化学式(1)表示的化学组成，且相对于IR光谱中所观察的1050cm^-1附近的来自Si-O的吸收的强度、2200cm^-1附近的来自Si-H的吸收的强度之比(I_[Si-H]/I_[Si-O])为0.03以下，

[化2]