[发明专利]使硫族化物界面电阻最小化的电极材料和界面层

权利要求书

1.一种相变存储器单元，其包括：

基于硫族化物的相变存储器层；

第一电极层，其包括碳和/或氮化钛；以及

第一界面层，其在所述基于硫族化物的相变存储器层与所述第一电极层之间并且与所述基于硫族化物的相变存储器层和所述第一电极层中的每个接触，所述第一界面层在所述基于硫族化物的相变存储器层与所述第一电极层之间提供降低的电阻,

所述第一界面层包括碳化钨、碳化钼、硼化钨或硼化钼或其组合。

2.如权利要求1所述的相变存储器单元，其中所述第一界面层包括在1nm与10nm之间的厚度。

3.如权利要求1所述的相变存储器单元，其进一步包括第二电极层，以及

第二界面层，其在所述基于硫族化物的相变存储器层与所述第二电极层之间并且与所述基于硫族化物的相变存储器层和所述第二电极层中的每个接触，所述第二界面层在所述基于硫族化物的相变存储器层与所述第二电极层之间提供降低的电阻。

4.如权利要求3所述的相变存储器单元，其中所述第二界面层包括碳化钨、碳化钼、硼化钨或硼化钼或其组合。

5.如权利要求3所述的相变存储器单元，其进一步包括开关设备层；

第三电极层；

第三界面层，其在所述开关设备层与所述第二电极层之间并且与所述开关设备层和所述第二电极层中的每个接触；以及

第四界面层在所述开关设备与所述第三电极层之间并且与所述开关设备层和所述第三电极层中的每个接触。

6.如权利要求5所述的相变存储器单元，其中所述第三界面层包括碳化钨、碳化钼、硼化钨或硼化钼或其组合，

其中所述第四界面层包括碳化钨、碳化钼、硼化钨或硼化钼或其组合，

其中所述基于硫族化物的相变存储器层包括Ge₂Sb₂Te₅或In₃SbTe₂；并且

其中每个电极层包括碳或氮化钛，或其组合。

7.如权利要求1所述的相变存储器单元，其中所述相变存储器单元包括固态存储器阵列或固态驱动器的部分。

8.一种用于形成相变存储器单元的方法，所述方法包括：

形成基于硫族化物的相变存储器层，所述基于硫族化物的相变存储器层包括第一侧和第二侧；

形成第一界面层，其包括第一侧和第二侧，所述第一界面层的第一侧与所述基于硫族化物的相变存储器层的第一侧接触；以及

形成第一电极层，其包括第一侧和第二侧，所述第一电极的第一侧与所述第一界面层的第二侧接触，所述第一电极层包括碳和/或氮化钛，

所述第一界面层在所述基于硫族化物的相变存储器层与所述第一电极层之间提供降低的电阻，

其中所述第一界面层包括碳化钨、碳化钼、硼化钨或硼化钼或其组合。

9.如权利要求8所述的方法，其中形成所述第一界面层包括使用不饱和碳化合物反应地溅射钨靶或钼靶或其组合。

10.如权利要求8所述的方法，其中形成所述第一界面层包括非反应地溅射碳化钨靶、碳化钼靶、硼化钨靶或硼化钼靶或其组合。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述第一界面层包括在1nm与10nm之间的厚度。

12.如权利要求11所述的方法，其进一步包括：

形成第二界面层，其包括第一侧和第二侧，所述第二界面层的第一侧与所述基于硫族化物的相变存储器层的第二侧接触；以及

形成第二电极层，其包括第一侧和第二侧，所述第二电极的第一侧与所述第二界面层的第二侧接触，

所述第二界面层在所述基于硫族化物的相变存储器层与所述第二电极层之间提供降低的电阻。