[发明专利]使硫族化物界面电阻最小化的电极材料和界面层

说明书

公开了具有降低的电极‑硫族化物界面电阻的相变存储器单元和用于制作相变存储器单元的方法。在电极层与硫族化物层之间形成界面层，其在基于硫族化物的相变存储器层与电极层之间提供降低的电阻。示范性实施例提供界面层包括碳化钨、碳化钼、硼化钨或硼化钼或其组合。在一个示范性实施例中，界面层包括在约1nm与约10nm之间的厚度。

技术领域

本文描述的系统和技术的实施例涉及存储器设备。更具体地，其中描述的系统和技术的实施例涉及相变交叉点存储器系统，其包括提供降低的电极-硫族化物界面电阻的材料。

背景技术

基于硫族化物的相变存储器中的电极-硫族化物界面处的高电阻需要使用较高的操作电压或可获得降低的驱动电压以用于硫族化物相变。另外，与相变存储器的操作关联的高局部温度（超过600C）使得电极-硫族化物反应成为可能，其不利地影响设备性能。

附图说明

本文描述的实施例通过示例而非限制的方式在附图的图中图示，其中类似的标号指代相似的元件并且其中：

图1描绘根据本文公开的主旨的基于硫族化物的相变交叉点存储器（其包括钨和钼的碳化物及硼化物界面层）的一部分的一个示范性实施例的透视图；

图2是根据本文公开的主旨用于形成基于硫族化物相变交叉点存储器（其包括界面层）的示范性实施例的流程图；

图3A-3B分别描绘根据本文公开的实施例在形成交叉点存储器列（柱）阵列以及继形成交叉点存储器列（柱）阵列之后的基于硫族化物的相变交叉点存储器结构的示范性实施例；

图4描绘根据本文公开的主旨的交叉点存储器阵列（其包括多个基于硫族化物的相变存储器单元）的示范性实施例的示意图；

图5描绘根据本文公开的主旨的电子系统（其包括基于硫族化物的相变交叉点存储器阵列）的示范性实施例的功能框图。

为了图示的简单和清楚起见，将意识到在图中描绘的元件不一定按比例绘制。例如，为了清楚起见，元件中的一些的尺寸可相对于其他元件扩大。图的标度不代表本文描绘的各种元件的精确尺寸和/或尺寸比。此外，在适当情况下，标号在图之中重复来指示对应或类似元件。

具体实施方式

本文描述的技术的实施例涉及半导体存储器，并且更具体地，涉及这样描述的系统和技术，其中涉及相变交叉点存储器系统，其包括提供降低的电极-硫族化物界面电阻的材料。在下列说明中，阐述许多特定细节以提供对本文公开的实施例的全面理解。然而，相关领域内技术人员将认识到本文公开的实施例可以在没有这些特定细节中的一个或多个的情况下或利用其他方法、部件、材料等来实践。在其他实例中，未详细示出或描述众所周知的结构、材料或操作以避免混淆说明书的各个方面。

在该整个说明书中对“一个实施例”或“实施例”的引用指示连同该实施例描述的特定特征、结构或特性包括在至少一个实施例中。从而，短语“在一个实施例中”或“在实施例中”在该整个说明书中各种地方的出现不一定都指相同实施例。此外，特定特征、结构或特性可采用任何适合的方式在一个或多个实施例中组合。另外，词“示范性”在本文用于意指“充当示例、实例或说明”。在本文描述为“示范性”的任何实施例不视为一定优于其他实施例或比其他实施例有利。

各种操作可进而并且采用对于理解要求保护的主旨最有帮助的方式描述为多个分立操作。然而，描述的顺序不应该解释为暗示这些操作必定依赖于顺序。特别地，这些操作不必按呈现的顺序执行。描述的操作可按与描述的实施例不同的顺序执行。在额外的实施例中可执行各种额外操作和/或可省略描述的操作。