[发明专利]在表面上形成沉积的图案的方法

说明书

技术领域

本发明通常涉及用于在表面上形成沉积图案的方法，更具体地， 涉及用于在光学元件的晶片级封装中使用的光学窗口晶片的选定区域 上形成防反射涂层的方法。

背景技术

如本领域已知，通常需要在光学元件的晶片级封装中使用的光学 窗口晶片的选定区域上形成防反射涂层。在红外线(IR)辐射热测量 仪的一种应用，例如晶片级封装中，光学窗口晶片(有时称为帽晶片) 具有形成在其表面中的多个腔室或者凹槽，每个凹槽被形成用于提供 与多个IR检测器(例如，辐射热测量仪)阵列中的相应的一个关联(与 其隔开并且设置在其上方)的腔室(具有竖直延伸壁)，所述IR检测 器阵列形成在粘附到帽晶片的第二下部晶片中。除了凹槽之外，帽晶 片也包括图案化的防反射涂层(ARC)、薄膜吸气剂(getter)和粘结 结构(如果需要)。

在本领域中也已知，现在通过经由遮光掩膜涂覆光学窗口，或者 通过涂覆整个表面(顶表面和腔表面)并且抛光掉上表面，来进行用 于晶片级封装的IR辐射热测量仪检测器的用防反射涂层涂覆窗口帽 晶片。也可以使用光刻抵制剥离法，但是需要昂贵的资本设备。遮光 掩膜增加了掩膜(通常仅对于单一用途而言是好的)和对齐工具的成 本。抛光需要精密的抛光设备和熟练的操作者。在光学工业中这两者 都需要比通常更高级别的清洁。因此，采用传统的方法在表面上图案 化防反射涂层可能是困难的，这些传统的方法是：1.遮光掩膜(受到 对齐公差、边缘锐度的限制)。2.光刻剥离(ARC对于容易的光阻剥离 通常太厚，并且需要固定设备。剥离在半导体工业中是不理想的麻烦 的工艺)。3.如果在要涂覆凹入表面并且要去除上表面的情况下过度拓 扑，那么可能使用上表面的抛光掉(需要精密的光学抛光设备)。所有 这些当被应用到特别是具有清洁度和微粒控制的半导体领域时都具有 问题。

基本的晶片级封装工艺可概括为：在帽晶片中蚀刻腔室；在腔室 的底部上沉积ARC，对帽晶片的围绕腔室的顶表面上金属处理密封环 图案；如果需要，在顶表面的另一部分上沉积吸气剂材料；将焊料应 用到密封环区域；将晶片粘附到IR检测器装置；并且切割成单个的检 测器阵列。

发明内容

根据本发明，提供了一种用于在基底的选定部分上形成材料的涂 层的方法，所述基底具有形成在所述基底的表面的选定部分中的多个 腔室，每个腔室具有从所述腔室底部向外延伸的外周侧壁。所述方法 包括：提供在其上具有脱模剂的结构；使侧壁的顶表面与接触的脱模 剂的一部分接触，接触的脱模剂的部分转移到基底的所述顶表面，同 时腔室的底部部分与所述脱模剂保持隔开，以产生中间结构表面，所 述中间结构表面包括：在所述基底的所述顶表面上设置脱模剂并且所 述腔室的底部部分没有脱模剂；使所述中间结构的所述表面暴露到所 述材料，以将所述材料毯式涂覆在设置在所述基底的顶表面上的脱模 剂和所述腔室的底部部分两者上；使具有已涂覆的脱模剂和所述底部 部分的所述中间结构暴露到从所述基底的顶表面选择地去除脱模剂以 及其上的涂层材料同时在所述腔室的底部部分上留下所述涂层材料的 工艺。

在一个实施例中，提供了一种用于在光能透明晶片的选定部分上 形成防反射涂层的方法，所述光能透明晶片具有形成在所述晶片的表 面的选定部分中的多个腔室，每个腔室具有从腔室底部向外延伸的外 周侧壁。所述方法包括：提供在其上具有脱模剂的结构；使晶片的顶 表面与所述脱模剂的一部分接触，以使所述脱模剂转移到所述晶片的 所述顶表面，同时所述腔室的底部部分与所述脱模剂保持隔开，以产 生中间结构表面，所述中间结构表面包括：在所述晶片的顶表面上设 置所述脱模剂并且所述腔室的底部部分没有脱模剂；使所述中间结构 的表面暴露到防反射涂层材料，以将所述防反射涂层材料毯式涂覆在 设置在顶表面上的脱模剂和所述腔室的底部部分两者上；并且使在所 述晶片的顶表面上设置脱模剂并且所述腔室的底部部分没有脱模剂的 所述中间结构暴露到选择地去除脱模剂以及其上的所述防反射涂层材 料同时在所述腔室的底部部分上留下所述防反射涂层材料的工艺。