[发明专利]紫外线透过性基板的清洗装置以及清洗方法在审

专利信息
申请号: 201480056479.9 申请日: 2014-11-19
公开(公告)号: CN105637619A 公开(公告)日: 2016-06-01
发明(设计)人: 自在丸隆行 申请(专利权)人: 野村微科学股份有限公司
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304;B08B3/08;B08B3/10;B08B7/00;G02F1/13;G02F1/1333
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘凤岭;陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 紫外线 透过 性基板 清洗 装置 以及 方法
【权利要求书】:

1.一种紫外线透过性基板的清洗装置,其特征在于,所述紫外线 透过性基板的清洗装置具有:

臭氧水供给部,其向所述基板的清洗面供给臭氧水;以及

紫外线照射部,其在向所述基板的清洗面供给臭氧水的状态下,向 所述基板的清洗面的相反侧的面照射包含250~260nm的波长的紫外 线。

2.根据权利要求1所述的紫外线透过性基板的清洗装置,其特征 在于,所述臭氧水供给部具有向所述清洗面供给所述臭氧水的臭氧水喷 嘴。

3.根据权利要求1或2所述的紫外线透过性基板的清洗装置,其 特征在于,所述清洗装置具有制造臭氧水并向所述臭氧水供给部供给的 臭氧水制造部。

4.根据权利要求1或2所述的紫外线透过性基板的清洗装置,其 特征在于,从所述紫外线照射部的光源至所述基板的清洗面的相反侧的 面的距离为5~20mm。

5.根据权利要求1或2所述的紫外线透过性基板的清洗装置,其 特征在于,所述紫外线照射部具有选自低压水银灯、准分子灯以及发光 二极管LED之中的1种以上。

6.根据权利要求1或2所述的紫外线透过性基板的清洗装置,其 特征在于,所述基板对波长为254nm的紫外线的吸光系数在50%以下。

7.根据权利要求1或2所述的紫外线透过性基板的清洗装置,其 特征在于,所述基板为液晶玻璃基板。

8.一种紫外线透过性基板的清洗方法,其特征在于,所述紫外线 透过性基板的清洗方法具有以下工序:

保持所述基板的工序;

向保持的所述基板的清洗面供给臭氧水的工序;以及

在使所述基板的清洗面与臭氧水接触的状态下向所述基板的清洗 面的相反侧的面照射包含250~260nm的波长的紫外线的工序。

9.根据权利要求8所述的紫外线透过性基板的清洗方法,其特征 在于,所述臭氧水的臭氧浓度为50ppm以上。

10.根据权利要求8或9所述的紫外线透过性基板的清洗方法,其 特征在于,所述臭氧水的温度为15℃~50℃。

11.根据权利要求8或9所述的紫外线透过性基板的清洗方法,其 特征在于,所述基板对波长为254nm的紫外线的吸光系数在50%以下。

12.根据权利要求8或9所述的紫外线透过性基板的清洗方法,其 特征在于,所述基板为液晶玻璃基板。

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