[发明专利]紫外线透过性基板的清洗装置以及清洗方法在审
申请号: | 201480056479.9 | 申请日: | 2014-11-19 |
公开(公告)号: | CN105637619A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 自在丸隆行 | 申请(专利权)人: | 野村微科学股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B08B3/08;B08B3/10;B08B7/00;G02F1/13;G02F1/1333 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘凤岭;陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 紫外线 透过 性基板 清洗 装置 以及 方法 | ||
1.一种紫外线透过性基板的清洗装置,其特征在于,所述紫外线 透过性基板的清洗装置具有:
臭氧水供给部,其向所述基板的清洗面供给臭氧水;以及
紫外线照射部,其在向所述基板的清洗面供给臭氧水的状态下,向 所述基板的清洗面的相反侧的面照射包含250~260nm的波长的紫外 线。
2.根据权利要求1所述的紫外线透过性基板的清洗装置,其特征 在于,所述臭氧水供给部具有向所述清洗面供给所述臭氧水的臭氧水喷 嘴。
3.根据权利要求1或2所述的紫外线透过性基板的清洗装置,其 特征在于,所述清洗装置具有制造臭氧水并向所述臭氧水供给部供给的 臭氧水制造部。
4.根据权利要求1或2所述的紫外线透过性基板的清洗装置,其 特征在于,从所述紫外线照射部的光源至所述基板的清洗面的相反侧的 面的距离为5~20mm。
5.根据权利要求1或2所述的紫外线透过性基板的清洗装置,其 特征在于,所述紫外线照射部具有选自低压水银灯、准分子灯以及发光 二极管LED之中的1种以上。
6.根据权利要求1或2所述的紫外线透过性基板的清洗装置,其 特征在于,所述基板对波长为254nm的紫外线的吸光系数在50%以下。
7.根据权利要求1或2所述的紫外线透过性基板的清洗装置,其 特征在于,所述基板为液晶玻璃基板。
8.一种紫外线透过性基板的清洗方法,其特征在于,所述紫外线 透过性基板的清洗方法具有以下工序:
保持所述基板的工序;
向保持的所述基板的清洗面供给臭氧水的工序;以及
在使所述基板的清洗面与臭氧水接触的状态下向所述基板的清洗 面的相反侧的面照射包含250~260nm的波长的紫外线的工序。
9.根据权利要求8所述的紫外线透过性基板的清洗方法,其特征 在于,所述臭氧水的臭氧浓度为50ppm以上。
10.根据权利要求8或9所述的紫外线透过性基板的清洗方法,其 特征在于,所述臭氧水的温度为15℃~50℃。
11.根据权利要求8或9所述的紫外线透过性基板的清洗方法,其 特征在于,所述基板对波长为254nm的紫外线的吸光系数在50%以下。
12.根据权利要求8或9所述的紫外线透过性基板的清洗方法,其 特征在于,所述基板为液晶玻璃基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造