[发明专利]紫外线透过性基板的清洗装置以及清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及紫外线透过性基板的清洗装置以及清洗方法。

背景技术

以前，作为半导体用硅基板和液晶玻璃基板的清洗方法，盛行的是 RCA清洗法、和使用碱洗涤剂等清洗液的湿式清洗方法。在RCA清洗 法中，例如使用过氧化氢、硫酸、盐酸、氨等的浓的药品，将基板表面 的被除去物去除。另外，在使用碱洗涤剂等作为清洗液的清洗中，组合 刷洗、紫外线照射、超声波清洗等的方法也是较为盛行的。在这些方法 中，由于大量使用浓的药品或清洗液，因而从排水处理作业和环境保护 的角度考虑，一直要求尽量不使用浓的药品和清洗液的清洗方法。另外， 玻璃基板与半导体晶片相比，其尺寸非常大，而且近年来，玻璃基板的 大型化更为明显。在这样的大型玻璃基板的清洗中，浓的药品或清洗液 的使用量、以及对它们进行漂洗的纯水的使用量增加。因此，由于玻璃 基板的制造成本的高涨和排水处理负荷的增大而产生环境负荷的增大 等问题。

另外，为了提高清洗效率，作为湿式清洗的前处理，有时也进行干 式清洗。在干式清洗中，将紫外线照射在基板上而进行表面处理，由此 使基板表面的有机物分解(例如参照专利文献1、2)。另外，作为前处 理的干式清洗的替代方法，采用有机溶剂等预先清洗基板表面的无机 物、然后用纯水进行漂洗的方法也是较为盛行的。

然而，由于以前的干式清洗不能去除无机物，因而在进行干式清洗 后，需要进行使用浓的药品和清洗液的湿式清洗，以清洗无机物。因此， 在湿式清洗后产生大量的排水，从而需要对该排水进行处理。另外，即 使在作为前处理使用有机溶剂而进行清洗的方法中，在有机溶剂清洗后 以及湿式清洗后分别用纯水进行漂洗，因而与上述同样，也需要对大量 的排水进行处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-182945号公报

专利文献2：日本特开平5-224167号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明是为解决上述的课题而完成的，其目的在于，提供与使用浓 的药品和清洗液的以前的清洗方法相比，可以减轻排水处理负荷和环境 负荷的紫外线透过性基板的清洗装置以及清洗方法。

用于解决课题的手段

实施方式的清洗装置是一种紫外线透过性基板的清洗装置，其特征 在于，所述清洗装置具有：臭氧水供给部，其向所述基板的清洗面供给 臭氧水；以及紫外线照射部，其在向所述基板的清洗面供给臭氧水的状 态下，向所述基板的清洗面的相反侧的面照射包含250～260nm的波长 的紫外线。

实施方式的清洗方法是一种紫外线透过性基板的清洗方法，其特征 在于，在向所述基板的清洗面供给臭氧水的同时，向所述基板的清洗面 的相反侧的面照射包含250～260nm的波长的紫外线。

发明的效果

根据本发明的紫外线透过性基板的清洗装置以及清洗方法，与使用 浓的药品的以前的清洗方法相比，可以减轻排水处理负荷和环境负荷。

附图说明

图1是说明实施方式的清洗方法的图。

图2是示意表示实施方式的清洗装置的侧视图。

图3是示意表示实施方式的清洗装置的俯视图。

图4是表示实施方式的清洗方法的流程图。

图5是表示实施例所使用的低压水银灯的波长特性的图。

具体实施方式

下面使用附图，就本发明的实施方式进行说明。在各图中，对具有 同一功能的构成标注同一符号，并将重复的说明予以省略。本发明并不 局限于以下的实施方式。

图1是说明实施方式的清洗方法的图。本实施方式的清洗方法在向 基板2的清洗面2a供给臭氧水的状态下，向清洗面2a的相反侧的面(以 下称为紫外线照射面)2b照射紫外线。本实施方式中的被除去物3例如 为光致抗蚀剂等的有机薄膜和在无尘室内附着于清洗面2a的有机物。 另外，在本实施方式的清洗方法中，也可以去除附着于清洗面2a的金 属微粒等无机物。

本实施方式的清洗方法在向清洗面2a供给臭氧水的状态下，向紫 外线照射面2b照射紫外线，利用通过向臭氧水照射紫外线所产生的自 由基活性种而将清洗面2a的被除去物3去除。产生的自由基活性种主 要为由下述(1)式所示的反应产生的氧自由基、和由下述(2)式所示 的反应产生的羟基自由基。