[发明专利]表膜、带表膜的光掩模及半导体元件的制造方法

说明书

本发明涉及表膜，其具备：表膜框；张架于表膜框的一个端面(2e)的表膜用膜(3)；和附着于表膜框的另一个端面(2f)的非交联型的丙烯酸系粘合剂(10)，前述非交联型的丙烯酸系粘合剂(10)中的重均分子量800以下的化合物的含量为18重量％以下。根据本发明，能够充分地防止从掩模剥离表膜时的残胶。

技术领域

本发明涉及制造LSI、超LSI等半导体元件或液晶显示板等半导体装置时，用于防止异物附着于掩模(光掩模)的光刻用表膜。

背景技术

半导体制造的光刻工序中，为了在晶圆上形成对应集成电路的光致抗蚀剂图案，使用步进器(缩小投影曝光装置)等半导体制造装置。表膜是在具有框形状的表膜框的一个端面张架透明薄膜而得到的，防止异物直接附着于掩模上而形成电路图案的缺陷。具体而言，即使光刻工序中异物附着于表膜上，涂布有光致抗蚀剂的晶圆上这些异物也无法成像。由此，能够防止由异物的图像导致的电路图案的缺陷所引起的半导体集成电路的短路及断路等，能够提高光刻工序的制造成品率。

近年，伴随半导体装置的高集成化，正在进行光刻工序中使用的曝光用光的短波长化。即，在晶圆上绘制集成电路图案时，要求能够用更窄的线宽绘制精细的电路图案的技术。为了与此对应，例如，作为光刻用步进器的曝光用光，从以往的g射线(波长436nm)、i射线(波长365nm)发展到使用KrF准分子激光(波长248nm)、ArF准分子激光(波长193nm)、进而F₂准分子激光(波长157nm)等更短波长的光。

伴随着近年的曝光用光的短波长化·高能量化，曝光伴有的表膜用膜或掩模的污物的产生频率变高，因此表膜及掩模的更换频率也变高。此处，作为将表膜固定在掩模上的方法，通常使用以粘合剂能够剥离地进行固定的方法。作为粘合剂，已知丙烯酸系、橡胶系、聚丁烯系、聚氨酯系、有机硅系等粘合剂(参照专利文献1)，另外，已知热塑性弹性体系的粘合剂(参照专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平05-281711号公报

专利文献2：国际公报第2012-004951号

发明内容

发明要解决的问题

对于粘合剂，期望具有稳定的适宜的粘合力，并且在更换表膜时，防止从掩模剥离表膜时粘合剂发生内聚破坏而变成粘合剂的一部分附着于掩模的状态(以下，将该现象称为残胶)。但是，伴随近年的曝光用光的短波长化·高能量化，对于专利文献1中记载的粘合剂，由于漏光导致粘合剂的分解、容易与掩模结合，将表膜从掩模剥离时，在掩模表面上容易产生粘合剂的残胶。另外，对于专利文献2中记载的粘合剂，在丙烯酸系粘合剂中防止残胶的方面也存在问题。尤其是，使用200nm以下的短波长时，发生被称为雾浊(haze)的掩模的污染。因此，表膜的更换频率变高，所以要求从掩模剥离时在掩模上粘合剂不发生残胶。

本发明鉴于上述问题，目的在于提供能够充分防止从掩模剥离表膜时的残胶的表膜、带表膜的光掩模及半导体元件的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明提供以下(1)～(11)。

(1)一种表膜，其具备：表膜框；

张架于表膜框的一个端面的表膜用膜；和

附着于表膜框的另一个端面的非交联型的丙烯酸系粘合剂，

粘合剂中的重均分子量800以下的化合物的含量为18质量％以下。

(2)根据(1)所述的表膜，其中，非交联型的丙烯酸系粘合剂的弹性模量为20mN/mm²以上且180mN/mm²以下。