[发明专利]非易失性存储器装置进行编程的方法和系统

权利要求书

1.一种对非易失性存储装置进行编程的方法，包括：

向第一盘位的非易失性存储元件提供第一列地址，其中，所述第一列地址与包括所述第一盘位中的非易失性存储元件和第二盘位的非易失性存储元件的第一列相关联；

在向所述第一盘位提供所述第一列地址的同时，向所述第二盘位的非易失性存储元件提供第二列地址，其中，所述第二列地址与包括所述第一盘位和所述第二盘位中的非易失性存储元件的第二列相关联；以及

响应于所述第一列地址和所述第二列地址，在第一列地址循环中，对所述第一盘位中的所述第一列的非易失性存储元件的第一部分和所述第二盘位中的所述第二列的非易失性存储元件的第二部分同时进行编程；

其中，所述同时进行编程包括：跳过对所述第二盘位中的所述第一列的非易失性存储元件的第二部分的编程。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述同时进行编程包括：跳过对所述第一盘位中的所述第二列的非易失性存储元件的第一部分的编程。

3.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：

响应于写入请求来识别所述第一列和所述第二列用于写入数据；

将用户数据与来自所述第一列的非易失性存储元件和所述第二列的非易失性存储元件的存储器数据进行比较；

基于所述比较，确定不能跳过对所述第一列的非易失性存储元件或所述第二列的非易失性存储元件的编程；

基于所述比较，确定能够跳过对所述第一盘位中的所述第一列的非易失性存储元件的所述第一部分的编程并且能够跳过对所述第二盘位中的所述第二列的非易失性存储元件的所述第二部分的编程；以及

生成位图数据，以将所述第一列地址和所述第二列地址编组在共同列地址循环中。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，

响应于所述位图数据，同时执行向所述第一盘位提供所述第一列地址和向所述第二盘位提供所述第二列地址。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一盘位的非易失性存储元件和所述第二盘位的非易失性存储元件是单片式三维非易失性存储器阵列的一部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一盘位和所述第二盘位是盘位组的一部分；以及

所述第一列和所述第二列跨所述盘位组。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，针对第一写入请求来执行所述第一列地址循环，所述方法还包括：

响应于第二写入请求来确定对于所述第一盘位和所述第二盘位而言不能跳过对所述第一列地址的编程；以及

响应于所述第二写入请求来向所述盘位组提供所述第一列地址，以对跨所述第一盘位和所述第二盘位的所述第一列同时进行编程。

8.一种非易失性存储器系统，包括：

非易失性存储器阵列，所述非易失性存储器阵列包括被布置成列集合和盘位集合的多个非易失性存储元件，其中，每个列包括非易失性存储元件的多个子集，其中，来自每个列的非易失性存储元件的每个子集与来自所述盘位集合的一个盘位相关联；以及

一个或更多个控制电路，所述一个或更多个控制电路与所述非易失性存储器阵列进行通信，所述一个或更多个控制电路被配置成：针对写入请求，基于将所述写入请求的用户数据与来自第一列的非易失性存储元件和第二列的非易失性存储元件的存储器数据进行比较，来确定是否能够跳过对来自所述第一列的非易失性存储元件和来自所述第二列的非易失性存储元件的非易失性存储元件的每个子集的编程，所述一个或更多个控制电路被配置成：将来自所述第一列的不能跳过的非易失性存储元件的第一子集与来自所述第二列的不能跳过的非易失性存储元件的第二子集编组在第一列地址循环中。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器系统，其中，

所述一个或更多个控制电路被配置成：在所述第一列地址循环中，对来自所述第一列的非易失性存储元件的所述第一子集和来自所述第二列的非易失性存储元件的所述第二子集进行编程。