[发明专利]双极性晶体管有效
| 申请号： | 201480057758.7 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN105793966B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 大川峰司;江口博臣;金原啓道;池田智史 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/73;H01L29/732 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 苏萌萌;范文萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 极性 晶体管 | ||
1.一种双极性晶体管，其为具有半导体基板的双极性晶体管，其中，
半导体基板具有：
p型的发射区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处；
p型的集电区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处；
n型的基区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处，且被设置在发射区与集电区之间；
p型的第一埋入区，其被设置于基区的下方；
n型区，其与基区相比n型杂质浓度较低，并且与发射区、集电区、基区、第一埋入区相接，并使发射区与基区以及第一埋入区分离，且使集电区与基区以及第一埋入区分离，
基区的n型杂质浓度在1×1017atoms/cm3以上，
基区的一部分与第一埋入区相比向集电区侧突出。
2.如权利要求1所述的双极性晶体管，其中，
半导体基板还具有p型的第二埋入区，该第二埋入区被设置于第一埋入区的下方，并且通过n型区而与第一埋入区分离。
3.一种双极性晶体管，其为具有半导体基板的双极性晶体管，其中，
半导体基板具有：
n型的发射区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处；
n型的集电区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处；
p型的基区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处，且被设置在发射区与集电区之间；
n型的第一埋入区，其被设置于基区的下方；
p型区，其与基区相比p型杂质浓度较低，并且与发射区、集电区、基区、第一埋入区相接，并使发射区与基区以及第一埋入区分离，且使集电区与基区以及第一埋入区分离，
基区的p型杂质浓度在1×1017atoms/cm3以上，
基区的一部分与第一埋入区相比向发射区侧突出。
4.如权利要求3所述的双极性晶体管，其中，
半导体基板还具备n型的第二埋入区，该第二埋入区被设置于第一埋入区的下方，并且通过p型区而与第一埋入区分离。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
