[发明专利]双极性晶体管

说明书

本发明公开一种能够提升耐压并且提升电流放大率的双极性晶体管。双极性晶体管(10)具有：p型的发射区(40)；p型的集电区(20)；n型的基区(30)，其被设置于发射区(40)与集电区(20)之间；p型的第一埋入区(50)，其被设置于基区(30)的下方；n型区(18)，其与基区(30)相比n型杂质浓度较低，并且与发射区(40)、集电区(20)、基区(30)、第一埋入区(50)相接，并使发射区(40)与基区(30)以及第一埋入区(50)分离，且使集电区(20)与基区(30)以及第一埋入区(50)分离。基区(30)的一部分与第一埋入区(50)相比向集电区(20)侧突出。

技术领域

(相关申请的相互参照)

本申请为于2013年10月21日所提交的日本专利申请特愿2013-218237号的相关申请，并且为要求基于该日本专利申请的优先权的申请，将该日本专利申请所记载的全部内容作为构成本说明书的内容而进行援引。

本说明书中公开的技术涉及一种双极性晶体管。

背景技术

例如，日本专利公开特开平5-21442号公报(以下，称为专利文献1)中公开了一种横型的pnp晶体管。在该pnp晶体管中，在集电区的下方形成有p⁺型的集电第二区域。由此，使载流子(空穴)的移动距离较短，从而实现了电流放大率的提升。

发明内容

发明所要解决的课题

另外，还已知一种在集电区与发射区之间配置基区的结构的双极性晶体管。在该结构的双极性晶体管中，由于确保了集电区与发射区之间的距离较长，因此有能够提升耐压的优点。但是，由于集电区与发射区之间的距离较长，因此载流子的移动距离也较长，从而有电流放大率降低的情况。

在本说明书中，公开了一种能够提升耐压并且提升电流放大率的双极性晶体管。

用于解决课题的方法

本说明书中公开的一个双极性晶体管为具有半导体基板的双极性晶体管。半导体基板具有：p型的发射区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处；p型的集电区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处；n型的基区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处，且被设置于发射区与集电区之间；p型的第一埋入区，其被设置于基区的下方；n型区，其与基区相比n型杂质浓度较低，并且与发射区、集电区、基区、第一埋入区相接，并使发射区与基区以及第一埋入区分离，且使集电区与基区以及第一埋入区分离。基区的一部分与第一埋入区相比向集电区侧突出。

在上述的双极性晶体管中，由于基区被配置于集电区与发射区之间，因此能够确保集电区与发射区之间的距离较长，从而能够提升耐压。此外，在半导体层内的n型的基区的下方具有p型的第一埋入区。此处，“上表面”是指，半导体基板的两个表面中的一个面。“下方”是指，离上表面较远的一侧。在以下的本说明书中相同。在载流子(空穴)于发射极与集电极之间移动的情况下，在第一埋入区内不会发生电荷与载流子的结合，从而不会产生损耗。因此，能够抑制电流放大率的降低。因此，根据上述的双极性晶体管，能够提升耐压并且提升电流放大率。

此外，在上述的双极性晶体管中，基区的一部分与第一埋入区相比向集电区侧突出。因此，能够抑制在将双极性晶体管置于断开的情况下形成于集电极与基极之间的耗尽层到达至第一埋入区内的情况。即，能够抑制第一埋入区的耗尽。因此，在将双极性晶体管从断开切换至导通时，向被耗尽了的区域供给的空穴的量只需较少即可，因此能够使接通时间比较短。

半导体基板还具有p型的第二埋入区，该第二埋入区被设置于第一埋入区的下方，并且通过n型区而与第一埋入区分离。

根据该结构，能够进一步减少在空穴于发射极与集电极之间移动时所产生的损耗。因此，能够进一步使电流放大率提升。