[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于：

包括常截止型的第一晶体管、常导通型的第二晶体管和常导通型 的第三晶体管，

所述第一晶体管与所述第二晶体管共源共栅连接，

所述第三晶体管与所述第二晶体管并联连接，

所述第二晶体管和所述第三晶体管各自的截止耐压比所述第一晶 体管的截止耐压高，

所述第三晶体管的接通时间比所述第二晶体管的接通时间短。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

还包括二极管、电源端子和接地端子，

所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管各自具有第 一电极、第二电极和控制电极，

所述电源端子与所述第二晶体管的所述第一电极以及所述第三晶 体管的所述第一电极连接，

所述第二晶体管的所述第二电极以及所述第三晶体管的所述第二 电极与所述第一晶体管的所述第一电极连接，

所述第一晶体管的所述第二电极与所述接地端子连接，

所述二极管以所述二极管的阴极电极连接于所述电源端子侧，所 述二极管的阳极电极连接于所述第三晶体管的所述控制电极侧的方 式，设置在所述电源端子与所述第三晶体管的所述控制电极之间，

所述二极管的雪崩电压比所述电源端子与所述接地端子之间的额 定电压大，并且为所述第三晶体管的截止耐压以下。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于：

所述第二晶体管和所述第三晶体管形成在一个半导体芯片上。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

所述第二晶体管和所述第三晶体管各自是使用宽带隙半导体的晶 体管。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：

所述使用宽带隙半导体的晶体管为氮化镓(GaN)类的晶体管。