[发明专利]使用低阻抗偏置的记忆效应减小

权利要求书

1.一种电路，包括：

用于被偏置的晶体管的偏置电路，所述偏置电路包括主从源极跟 随器电路、基准晶体管以及被耦合到所述被偏置的晶体管并且被配置 成提供偏置电压的偏置电路电压输出，

其中所述基准晶体管具有与所述被偏置的晶体管的第二跨导基 本相同的第一跨导。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述主从源极跟随器电路 包括：

主晶体管，被配置成作为第一源极跟随器操作并且向所述基准晶 体管提供主基准电压；以及

从晶体管，被配置成作为第二源极跟随器操作并且根据所述主基 准电压提供所述偏置电压。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述主晶体管的栅极被耦 合到所述从晶体管的栅极。

4.根据权利要求2所述的电路，其中所述主晶体管包括NMOS 晶体管并且其中所述从晶体管包括NMOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的电路，其中所述偏置电路进一步包括：

在所述偏置电路电压输出和所述被偏置的晶体管之间耦合的滤 波器电路，所述滤波器电路被配置成在第一频率呈现第一阻抗并且在 第二频率呈现第二阻抗，

其中所述第一频率基本上比所述第二频率更高，以及

其中所述第一阻抗基本上比所述第二阻抗更高。

6.根据权利要求5所述的电路，其中所述第一频率是载波信号 的频率，

其中所述第二频率是基带信号的频率，以及

其中所述被偏置的晶体管是被配置成放大输入信号的放大器的 部件，所述输入信号包括根据所述基带信号调制的所述载波信号。

7.根据权利要求5所述的电路，其中所述滤波器电路包括电容 器-电阻器-电容器滤波器电路。

8.根据权利要求1所述的电路，进一步包括：

信号接地电路，在所述被偏置的晶体管和所述偏置电路的一个或 多个部件之间耦合，

其中所述偏置电路的直接连接到所述信号接地电路的部件不生 成到电源接地的显著的返回电流。

9.根据权利要求8所述的电路，其中所述偏置电路的直接连接 到所述信号接地电路的所有部件不生成到电源接地的显著的返回电 流。

10.根据权利要求8所述的电路，其中所述信号接地电路在所述 被偏置的晶体管附近的位置处被直接连接到电源接地网络。

11.根据权利要求10所述的电路，其中所述信号接地电路只在 所述被偏置的晶体管附近的位置处被直接连接到电源接地网络。

12.根据权利要求1所述的电路，其中所述基准晶体管与所述被 偏置的晶体管基本相同。

13.根据权利要求1所述的电路，进一步包括：

线圈，具有端部抽头和中心抽头，

其中所述端部抽头被耦合到所述被偏置的晶体管的栅极，以及

其中所述中心抽头被耦合到所述偏置电路电压输出。

14.根据权利要求13所述的电路，其中所述线圈是变压器的线 圈。

15.根据权利要求1所述的电路，进一步包括：

电流源，被配置成生成第一电流，

其中所述偏置电路被配置成生成基本上与所述第一电流相同的 经过所述基准晶体管的第二电流。

16.根据权利要求15所述的电路，其中所述电流源是可编程电 流源。

17.根据权利要求1所述的电路，其中所述电路被设置在单个集 成电路芯片中。