[发明专利]使用低阻抗偏置的记忆效应减小

说明书

相关申请的交叉引用

本公开要求2013年11月04日提交的美国临时申请No. 61/899,460的权益，该申请整体内容通过引用并入本文。

背景技术

在某一时间点处的理想放大器的输出的幅度仅仅取决于在那个 时间到该放大器的输入的幅度。非线性是实际的放大器的行为与理想 放大器的行为的偏离。

记忆效应是非线性的一种形式，其中(非理想的)放大器的输出 的幅度受多个之前的时间点处的输入的幅度的影响。由记忆效应导致 的非线性向放大器的输出中引入失真。

记忆效应可以由放大器内的具有显著时间常数的反馈环、诸如自 动增益控制(AGC)电路和偏置电路导致。

发明内容

在实施例中，一种电路包括用于被偏置的晶体管的偏置电路。偏 置电路包括主从源极跟随器电路、基准晶体管以及被耦合到被偏置的 晶体管并且被配置成提供偏置电压的偏置电路电压输出。基准晶体管 具有与被偏置的晶体管的第二跨导基本相同的第一跨导。

在实施例中，主从源极跟随器电路包括被配置成作为第一源极跟 随器操作并且向基准晶体管提供主基准电压的主晶体管和被配置成 作为第二源极跟随器操作并且根据主基准电压提供偏置电压的从晶 体管。

在实施例中，偏置电路进一步包括在偏置电路电压输出和被偏置 的晶体管之间耦合的滤波器电路。滤波器电路被配置成在第一频率呈 现第一阻抗并且在第二频率呈现第二阻抗。第一频率基本上比第二频 率更高，并且第一阻抗基本上比第二阻抗更高。

在实施例中，电路进一步包括在被偏置的晶体管和偏置电路的一 个或多个部件之间耦合的信号接地电路。直接连接到信号接地电路的 偏置电路的部件不生成到电源接地的显著的返回电流。

在实施例中，基准晶体管与被偏置的晶体管基本相同。

在实施例中，电路进一步包括具有端部抽头和中心抽头的线圈。 端部抽头被耦合到被偏置的晶体管的栅极，并且中心抽头被耦合到偏 置电路电压输出。

在实施例中，电路进一步包括被配置成生成第一电流的电流源。 偏置电路被配置成生成基本上与第一电流相同的经过基准晶体管的 第二电流。

在实施例中，电路被设置在单个集成的电路芯片中。

在实施例中，一种方法包括根据使用偏置电路的主源极跟随器电 路生成的第一电压在基准晶体管中生成电流，使用偏置电路的从源极 跟随器电路生成与第一电压基本相同的第二电压，以及向被偏置的晶 体管提供第二电压。基准晶体管具有与被偏置的晶体管的第二跨导基 本相同的第一跨导。

在实施例中，基准晶体管与被偏置的晶体管基本相同。

在实施例中，方法进一步包括使用偏置电路的滤波器电路对第二 电压滤波。滤波器电路在第一频率呈现第一阻抗并且在第二频率呈现 第二阻抗。第一频率基本上比第二频率更高，并且第一阻抗基本上比 第二阻抗更高。

在实施例中，方法进一步包括使用信号接地电路向偏置电路的一 个或多个部件提供信号接地基准。接地电路在被偏置的晶体管附近的 位置处被连接到电源接地网络。直接连接到信号接地电路的偏置电路 的部件不生成到电源接地的显著的返回电流。

在实施例中，向被偏置的晶体管提供第二电压包括向线圈的中心 抽头提供第二电压。被偏置的晶体管被耦合到线圈的端部抽头。

附图说明

图1是根据实施例的集成电路的框图。

图2是根据实施例的电路的图。

图3A图示了根据实施例的集成电路的布局。

图3B图示了根据另一实施例的集成电路的布局。

图4图示了偏置晶体管的过程。

具体实施方式

图1是根据本公开的实施例的集成电路(IC)1-100的框图。IC 1-100包括功率放大器(PA)1-104和偏置电路1-110。PA1-104的输 出被连接到天线108。在实施例中，PA1-104是推挽式放大器。

输入信号PA_IN被提供到PA1-104。偏置电路1-110向PA1-104 提供偏置电压V_b。