[发明专利]变阻器用烧结体和使用其的多层基板、以及它们的制造方法

权利要求书

1.一种变阻器用烧结体，其特征在于，以氧化锌为主成分，包含以铋Bi换算为0.6mol％～3.0mol％的氧化铋、以钴Co换算为0.3mol％～1.4mol％的氧化钴、以铬Cr换算为0.1mol％～1.5mol％的氧化铬、以锰Mn换算为0.1mol％～1.5mol％的氧化锰，余量为氧化锌和不可避免的杂质。

2.如权利要求1所述的变阻器用烧结体，其特征在于，还包含选自以钪Sc换算为0.1mol％～2.0mol％的氧化钪、以钡Ba换算为0.1mol％～2.0mol％的氧化钡和以硼B换算为0.1mol％～4.0mol％的氧化硼中的至少1种。

3.如权利要求2所述的变阻器用烧结体，其特征在于，所述氧化硼的含量以硼B换算为0.1mol％～2.0mol％。

4.如权利要求1所述的变阻器用烧结体，其特征在于，包含以铋Bi换算为0.6mol％～2.0mol％的氧化铋、以钴Co换算为0.3mol％～1.0mol％的氧化钴、以铬Cr换算为0.1mol％～1.0mol％的氧化铬和以锰Mn换算为0.1mol％～1.0mol％的氧化锰。

5.一种多层基板，其特征在于，依次具备第1绝缘层、作为权利要求1～4中任一项所述的变阻器用烧结体的变阻器层、和第2绝缘层，

所述多层基板具有在所述变阻器层的一个主面配置的第1内部电极、在所述变阻器层的另一主面配置的第2内部电极、贯通所述第1绝缘层的第1贯通电极和贯通所述第2绝缘层的第2贯通电极，

所述第1贯通电极与所述第1内部电极电连接，所述第2贯通电极与所述第2内部电极电连接。

6.一种多层基板，其特征在于，具有依次层叠的第1绝缘层、第2绝缘层、和第3绝缘层，

所述第2绝缘层在其内部具备作为权利要求1～4中任一项所述的变阻器用烧结体的变阻器层，

所述多层基板具有在所述变阻器层的一个主面配置的第1内部电极、在所述变阻器层的另一主面配置的第2内部电极、贯通所述第1绝缘层的第1贯通电极和贯通所述第2绝缘层的第2贯通电极，

所述第1贯通电极与所述第1内部电极电连接，所述第2贯通电极与所述第2内部电极电连接。

7.一种多层基板，其特征在于，依次具备第1绝缘层、作为权利要求1～4中任一项所述的变阻器用烧结体的变阻器层、和第2绝缘层，

所述多层基板具有在所述变阻器层的一个主面配置的第1内部电极、在所述变阻器层的另一主面配置的第2内部电极、贯通所述第1绝缘层、所述变阻器层和所述第2绝缘层的第1和第2贯通电极，

所述第1贯通电极与所述第1内部电极电连接，所述第2贯通电极与所述第2内部电极电连接。

8.一种变阻器用烧结体的制造方法，其特征在于，包括：

1)将至少氧化锌、氧化铋、氧化钴、氧化铬、氧化锰不实施热处理地混合，得到以氧化锌为主成分，包含以铋Bi换算为0.6mol％～3.0mol％的氧化铋、以钴Co换算为0.3mol％～1.4mol％的氧化钴、以铬Cr换算为0.1mol％～1，5mol％的氧化铬和以锰Mn换算为0.1mol％～1.5mol％的氧化锰，余量为氧化锌和不可避免的杂质的混合原料的工序；和

2)在850℃～950℃对所述混合原料进行烧成的工序。

9.如权利要求8所述的变阻器用烧结体的制造方法，其特征在于，所述混合原料还包含选自以钪Sc换算为0.1mol％～2.0mol％的氧化钪、以钡Ba换算为0.1mol％～2.0mol％的氧化钡和以硼B换算为0.1mol％～4.0mol％的氧化硼中的至少1种。

10.一种多层基板的制造方法，其特征在于，包括：

1)将至少氧化锌、氧化铋、氧化钴、氧化铬、氧化锰不实施热处理地混合，得到以氧化锌为主成分，包含以铋Bi换算为0.6mol％～3.0mol％的氧化铋、以钴Co换算为0.3mol％～1.4mol％的氧化钴、以铬Cr换算为0.1mol％～1.5mol％的氧化铬和以锰Mn换算为0.1mol％～1.5mol％的氧化锰，余量为氧化锌和不可避免的杂质的混合原料的工序；

2)在由绝缘材料而成的第1绝缘片之上，配置第1电极材的工序；

3)在所述第1电极材之上，形成包含所述混合原料的混合原料片的工序；

4)在所述混合原料片之上，配置第2电极材的工序；

5)在所述第2电极材之上，形成由绝缘材料而成的第2绝缘片的工序；

6)形成贯通所述第1绝缘片、所述混合原料片、和所述第2绝缘片，且与所述第1电极材电连接的第1贯通电极的工序；

7)形成贯通所述第1绝缘片、所述混合原料片、和所述第2绝缘片，且与所述第2电极材电连接的第2贯通电极的工序；和

8)在850℃～950℃对所述第1绝缘片、所述混合原料片、和所述第2绝缘片进行烧成的工序。