[发明专利]基材与DLC膜之间形成的中间层的形成方法、DLC膜形成方法、以及基材与DLC膜之间形成的中间层有效
| 申请号： | 201480060930.4 | 申请日： | 2014-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN105705675B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 渡边元浩;松冈宏之;榊原渉;野上惣一郎 | 申请（专利权）人： | 同和热处理技术株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;C23C14/14;C23C16/27;C23C16/50 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基材 dlc 之间 形成 中间层 方法 以及 | ||
1.一种中间层形成方法，其为通过PVD法来形成中间层的中间层形成方法，所述中间层形成在基材与DLC膜之间，
其具有：在基材上形成Ti层的Ti层成膜工序、和
在所述Ti层上形成TiC层的TiC层成膜工序，
所述Ti层成膜工序中，向装载基材的腔室内供给Ar气体，以成膜压力为0.4Pa以上且1Pa以下的范围内的压力形成所述Ti层，
所述TiC层成膜工序中，向所述腔室内供给Ar气体和CH4气体，以成膜压力为0.2Pa以上且不足0.4Pa的范围内的压力，对基材施加偏置电压比所述Ti层成膜工序中施加于基材的第一偏置电压高、且偏置电压高于-100V的第二偏置电压，从而形成所述TiC层。
2.根据权利要求1所述的中间层形成方法，其中，在所述Ti层成膜工序与所述TiC层成膜工序之间还具有在所述Ti层上形成倾斜层的倾斜层成膜工序，
所述倾斜层成膜工序中，向所述腔室内供给Ar气体和CH4气体，
增加CH4气体的流量直至Ar气体与CH4气体的流量比达到所述TiC层成膜工序中的Ar气体与CH4气体的流量比，从而形成所述倾斜层，
所述TiC层成膜工序中，在所述倾斜层上形成所述TiC层。
3.根据权利要求2所述的中间层形成方法，其中，所述倾斜层成膜工序中，使施加于基材的偏置电压从所述第一偏置电压变化至所述第二偏置电压。
4.根据权利要求1所述的中间层形成方法，其中，所述Ti层成膜工序中，以膜厚为0.1～0.2μm的方式形成所述Ti层。
5.根据权利要求1所述的中间层形成方法，其中，所述TiC层成膜工序中，以膜厚为0.4～0.5μm的方式形成所述TiC层。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的中间层形成方法，其中，所述Ti层成膜工序中，将所述第一偏置电压设定为-500V～-100V的范围内的电压，形成所述Ti层。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的中间层形成方法，其中，所述TiC层成膜工序中，将所述第二偏置电压设定为高于-100V且不足-30V的范围内的电压，形成所述TiC层。
8.一种DLC膜形成方法，其通过等离子体CVD法在利用权利要求1～5中任一项所述的中间层形成方法形成的中间层上形成DLC膜。
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