[发明专利]基材与DLC膜之间形成的中间层的形成方法、DLC膜形成方法、以及基材与DLC膜之间形成的中间层有效

专利信息
申请号: 201480060930.4 申请日: 2014-11-06
公开(公告)号: CN105705675B 公开(公告)日: 2017-12-01
发明(设计)人: 渡边元浩;松冈宏之;榊原渉;野上惣一郎 申请(专利权)人: 同和热处理技术株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/06;C23C14/14;C23C16/27;C23C16/50
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 代理人: 刘新宇,李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基材 dlc 之间 形成 中间层 方法 以及
【说明书】:

技术领域

(关联申请的相互参照)

本申请基于2013年11月6日在日本国申请的日本特愿2013-230059号主张优先权,将其内容援引至此。

本发明涉及基材与DLC(类金刚石碳,diamond like carbon)膜之间形成的中间层的形成方法、使用该中间层形成方法的DLC膜形成方法及基材与DLC膜之间形成的中间层。

背景技术

近年来,出于机械部件硬度的确保、提高耐摩耗性的目的,进行对机械部件涂覆DLC膜。另外,为了提高模具的脱模性,也进行对模具涂覆DLC膜,DLC膜的用途多种多样。

一般而言,已知在基材的表面形成DLC膜时,基材与DLC膜的密合性差,DLC膜变得容易剥离。因此,以往出于为了提高基材与DLC膜的密合性目的,进行在基材与DLC膜之间形成中间层。例如,专利文献1公开了作为中间层形成Ti层和TiC层的的方法。如此在基材与DLC膜之间设置中间层,由此提高基材与DLC膜的密合性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开平10-203896号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是,市场中期望进一步具有密合性的DLC膜的制造。例如,对汽车部件适用DLC膜的情况下,要求半永久性的密合性。另外,为了模具的脱模性提高而实施DLC涂覆的情况下,越具有耐高表面压力的密合性,越能够扩大可以适用的使用环境,因此需求密合性的提高。

进而,就近年的DLC膜的成膜而言,从生产率的观点出发,有时采用成膜速度快的等离子体CVD法,但从制法的特性上来说,难以得到相对于利用以往方法形成的中间层的高密合性。即,通过等离子体CVD法形成的DLC膜,与通过专利文献1公开的这样的方法形成的中间层的密合性不充分,作为结果,基材与DLC膜的密合性也不充分。因此,必需进一步提高了基材与DLC膜的密合性的中间层。

本发明是鉴于上述情况作出的,目的在于提高基材与DLC膜的密合性。

用于解决问题的方案

为了解决上述课题,本发明为中间层形成方法,其特征在于,其为通过PVD法来形成在中间层的中间层形成方法,所述中间层形成在基材与DLC膜之间,其具有在基材上形成Ti层的Ti层成膜工序、和在前述Ti层上形成TiC层的TiC层成膜工序,前述Ti层成膜工序中,向装载基材的腔室内供给Ar气体,以成膜压力为0.4Pa以上且1Pa以下的范围内的压力形成前述Ti层,前述TiC层成膜工序中,向前述腔室内供给Ar气体和CH4气体,以成膜压力为0.2Pa以上且不足0.4Pa的范围内的压力对基材施加偏置电压比前述Ti层成膜工序中施加于基材的第一偏置电压高、且偏置电压高于-100V的第二偏置电压,从而形成前述TiC层。

另外,根据其它观点,作为本发明提供通过等离子体CVD法在通过上述中间层形成方法形成的中间层上形成DLC膜的DLC膜形成方法。

另外,根据其它观点,本发明的特征在于,其为在基材与DLC膜之间形成的中间层,且具有在基材上形成的Ti层和在前述Ti层上形成的TiC层,针对前述TiC层的通过使用集中法的X射线衍射对该基材的表面测得的TiC的(111)晶面的X射线衍射峰强度ITiC(111)和Fe的(110)晶面的X射线衍射峰强度IFe(110),以ITiC(111)/IFe(110)×100表示的强度比为60以上。

发明的效果

根据本发明,能够提高基材与DLC膜的密合性。由此,能够进一步提高作为DLC膜的性能。

附图说明

图1为示出本发明的实施方式的基材上的膜结构的示意图。

图2为示出本发明的其它实施方式的基材上的膜结构的示意图。

图3为示出比较例1的洛氏硬度试验后的压痕周围区域的图。

图4为示出比较例2的洛氏硬度试验后的压痕周围区域的图。

图5为示出比较例3的洛氏硬度试验后的压痕周围区域的图。

具体实施方式

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同和热处理技术株式会社,未经同和热处理技术株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480060930.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top