[发明专利]具有衬底支撑表面上的拱形凹槽的衬托器

说明书

本发明涉及用于外延生长反应器的衬托器；其大体上由主体(601)组成，该主体具有面(602)，该面包括至少一个区域(603)，该区域适用于接纳待经受外延生长的衬底；该区域(603)具有用于搁置所述衬底的搁置表面(604)或与该搁置表面相关联；该搁置表面(604)设置有图案，该图案包括拱形凹槽(606)的至少三个复数体(605A、605B、605C)；特别是，所述凹槽(606)的凹面朝向搁置表面(604)的边缘。

发明领域

本发明涉及具有在经受“外延生长”的衬底的搁置表面上获得的图案的衬托器。

背景技术

外延生长和用于实现它的反应器已经被知道好几十年了，其是基于公知的“CVD”技术，即“化学气相沉积”技术。其所应用的技术领域是电子元器件的生产；用于这个应用的工艺过程和反应器是特殊的，因为要求质量非常高的沉积层并且质量要求仍旧在增加。

一种类型的外延反应器采用了衬托器，其插入反应腔室中且其支撑一个或多个待经受外延生长的衬底，该衬底放置在搁置表面上适当的凹部(见图1A中的附图标记10和1000)内；众所周知，该衬底可以是完全的圆形或者通常具有平部(见图1B中完全圆形凹部内的衬底1000)。

对于高温外延生长(不低于800℃，不高于2000℃，且根据生长的材料通常为1000℃至1800℃)，反应器经常被使用，在该反应器处，腔室被加热，尤其是通过电磁感应或者通过电阻获得的衬托器被加热。

大多数的现有技术(图1)涉及硅的外延生长，具有通常为1100℃至1200℃的工艺温度，并且涉及有关的反应器；的确，仅最近由碳化硅制成的电子元器件才被更广泛地使用。衬底的定位和搁置操作具有几个问题：衬底对于搁置表面的粘附；在定位衬底期间和/或之后，衬底相对于搁置表面的横向移动；放置在搁置表面上的衬底的变形(衬底通常趋于变成凹形)；从搁置表面到衬底的热传递、从搁置表面到衬底的物质迁移缺乏均匀性。

因此，正在开展不断的研究以发现这些问题的越来越好的解决方案。这还归因于对于生长衬底的质量以及对于生产过程的质量和速度的日益严格的要求。

概述

申请人因此将目标设置为提供这些问题的满意的解决方案。这样的目标通过具有形成本说明的整体部分的所附权利要求中阐述的技术特征的衬托器实现。

本发明的基本思想是使用拱形凹槽作为衬底搁置表面上的图案。

特别是，该图案包括拱形凹槽的至少三个复数体；每个复数体的凹槽通常彼此平行；所述复数体的每个凹槽优选地开始于搁置表面的边缘上的第一点中且结束于搁置表面的边缘上的第二点中；所述第一点和所述第二点彼此远离；搁置表面可由环形凹槽包围。

特别是，凹槽的凹面面向搁置表面的边缘；更特别的是，每个凹槽的凹面面向搁置表面的边缘；甚至更特别的是，至少三个复数体中的每个复数体的每个凹槽的凹面面向搁置表面的边缘。

特别是，至少三个复数体的凹槽中的每个凹槽的凹面在不同的方向定向。

特别是，凹槽的凹面在其整个纵向延伸上是恒定的(即不改变)；更特别的是，每个凹槽的凹面在其整个纵向延伸上是恒定的(即不改变)；甚至更特别的是，至少三个复数体中的每个复数体的每个凹槽的凹面在其整个纵向延伸上是恒定的(即不改变)。

根据优选实施方案，所述复数体的每个凹槽包括第一和第二直线端部伸展部，它们彼此相等并且相互倾斜；以及第三圆形中部伸展部，其连接第一和第二直线端部伸展部。

附图目录

本发明从下面的详细描述中结合附图考虑将变得更加明显，其中；

图1示出了根据现有技术的衬托器的盘形主体的简化剖面视图和局部俯视图，其中衬底插入其凹部中；