[发明专利]具有高热电优值的纳米结构的硒化铜及其制备方法有效
| 申请号： | 201480061558.9 | 申请日： | 2014-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN105765748B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 巴斯卡尔·加特力;西瓦艾尔·巴斯拉;克里提·特亚吉;阿瓦尼诗·库玛·斯里瓦斯塔瓦;阿加依·达尔;拉梅什·钱德拉·布汉尼 | 申请（专利权）人： | 科学与工业研究委员会 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/26;C01B19/00;B22F9/04;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;王智 |
| 地址： | 印度*** | 国省代码： | 印度;IN |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 热电 纳米 结构 硒化铜 及其 制备 方法 | ||
1.纳米结构硒化铜，其具有式CuXSeX-1，其中，X具有1.99至2.01范围内的原子比；其中所述硒化铜是在973K具有高热电优值2的p型热电材料；其中所述硒化铜是通过包括如下步骤的方法获得的：
i.以范围在1.97至2.03间的原子比混合铜和硒粉末，以获得混合物；
ii.通过使用高能球磨机中的球碾磨步骤(i)中获得的所述混合物与2至4重量百分数的过程控制反应物，以300至400rpm的速度碾磨40至70hr的期间，以获得Cu和Se纳米粉末；
ⅲ.在液压机上以0.3至0.5MPa的压力压紧步骤(ii)中获得的纳米粉末，以获得压紧的丸粒；
ⅳ.使用放电等离子烧结法在真空下固结步骤(ⅲ)中获得的压紧的丸粒3-5分钟的期间，随后冷却并释放压力，以获得纳米结构硒化铜。
2.根据权利要求1所述的纳米结构硒化铜，其中纳米结构硒化铜具有5nm至30nm的平均晶粒粒径。
3.根据权利要求1所述的纳米结构硒化铜，其中，用于制备纳米结构硒化铜的方法包括：球与粉末的重量比是15:1至20:1。
4.根据权利要求1所述纳米结构硒化铜，其中，用于制备纳米结构硒化铜的方法包括：将Cu和Se纳米粉末压紧在12.7mm内径的高强度石墨中。
5.根据权利要求1所述的纳米结构硒化铜，其中，用于制备纳米结构硒化铜的方法包括：所述过程控制反应物是硬脂酸。
6.根据权利要求1所述的纳米结构硒化铜，其中，用于制备纳米结构硒化铜的方法包括：放电等离子烧结法，该放电等离子烧结法在50至80MPa的压力实施。
7.根据权利要求1所述的纳米结构硒化铜，其中，用于制备纳米结构硒化铜的方法包括：放电等离子烧结法，该放电等离子烧结法在800至900K的温度、加热率为300至450K/min、3至8Pa的真空的高强度石墨模中实施。
8.根据权利要求1所述的纳米结构硒化铜，其中，用于制备纳米结构硒化铜的方法中的碾磨在氩气惰性气氛中实施。
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