[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，具备：

漂移层形成工序，在碳化硅半导体基板上，形成n型的漂移层；

离子注入层形成工序，向所述漂移层表面注入作为p型的杂质的杂质离子，形成被注入该杂质离子的离子注入层；

剩余碳区域形成工序，在所述漂移层内注入诱导晶格间的碳的离子即晶格间碳诱导离子，形成剩余的晶格间碳原子存在的剩余碳区域；以及

加热工序，在所述离子注入层形成工序之后、并且在所述剩余碳区域形成工序之后，对所述漂移层进行加热，

所述剩余碳区域形成工序是向比所述离子注入层和所述漂移层的界面深的区域注入所述晶格间碳诱导离子而形成所述剩余碳区域的工序，

所述加热工序是通过对所述漂移层进行加热来激活注入到所述离子注入层的所述杂质离子而形成p型的激活层、并且使所述晶格间碳原子扩散到所述激活层侧的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述剩余碳区域形成工序是在从所述离子注入层和所述漂移层的界面起的500nm以内的深的区域侧注入所述晶格间碳诱导离子而形成所述剩余碳区域的工序。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述剩余碳区域形成工序是从所述漂移层表面注入所述晶格间碳诱导离子的工序。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述剩余碳区域形成工序之前，还具备基板去除工序，该基板去除工序是去除所述碳化硅半导体基板的工序，

所述剩余碳区域形成工序是从所述漂移层背面注入所述晶格间碳诱导离子的工序。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述剩余碳区域形成工序是注入作为碳的所述晶格间碳诱导离子而形成所述剩余碳区域的工序。

6.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述剩余碳区域形成工序是将注入面密度是1×10¹³cm^-2至1×10¹⁶cm^-2、注入能量是10keV至10MeV的所述晶格间碳诱导离子注入而形成所述剩余碳区域的工序。

7.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述剩余碳区域形成工序是将注入面密度比所述离子注入层和所述漂移层的界面的载流子陷阱的密度大的所述晶格间碳诱导离子注入而形成所述剩余碳区域的工序。

8.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述离子注入层形成工序是注入所述杂质离子来形成所述离子注入层的工序，其中，所述杂质离子是铝、硼、磷或者氮。

9.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述加热工序中，对所述漂移层进行加热的温度在1400℃至1800℃的范围内。