[发明专利]具有低芳族烃和硫含量的烃流体的生产方法

权利要求书

1.一种用于将包含小于15ppm硫的低硫混合进料氢化成为极低硫和极低芳族烃流体的方法，所述极低硫和极低芳族烃流体包含小于5ppm的硫和小于100ppm的芳族烃，沸点为100℃至400℃，并且沸程不超过80℃，

所述低硫混合进料包含以下的混合物：

i)来源于天然气制油过程的烃馏分，和

ii)选自由生物质获得的氢化脱氧烃馏分、凝析油、通过对来自常压蒸馏的直馏瓦斯油馏分进行严格加氢脱硫获得的化石来源的烃馏分、及其混合物中的至少一种；

其中所述方法不使用氢化裂解真空瓦斯油(HCVGO)；

所述方法包括在80℃至180℃的温度和100巴至160巴的压力下在基于镍的催化剂的存在下催化氢化所述进料的步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述低硫混合进料包含5重量％至95重量％的来源于天然气制油过程的烃馏分。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述低硫混合进料包含20重量％至80重量％的来源于天然气制油过程的烃馏分。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述低硫混合进料包含40重量％至60重量％的来源于天然气制油过程的烃馏分。

5.根据权利要求1和2中任一项所述的方法，其中所述低硫混合进料包含小于70％的芳族烃。

6.根据权利要求1和2中任一项所述的方法，其中所述低硫混合进料包含小于50％的芳族烃。

7.根据权利要求1和2中任一项所述的方法，其中所述低硫混合进料包含小于30％的芳族烃。

8.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中所述低硫混合进料包含小于8ppm的硫。

9.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中所述低硫混合进料包含小于5ppm的硫。

10.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中所述极低硫和极低芳族烃流体的沸点为150℃至400℃。

11.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中所述极低硫和极低芳族烃流体的沸点为200℃至400℃。

12.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中所述极低硫和极低芳族烃流体的沸程低于80℃。

13.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中所述极低硫和极低芳族烃流体的沸程为40℃至50℃。

14.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中所述极低硫和极低芳族烃流体包含小于50ppm的芳族烃。

15.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中所述极低硫和极低芳族烃流体的硫含量小于3ppm。

16.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中所述极低硫和极低芳族烃流体的硫含量小于0.5ppm。

17.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，包括三个氢化阶段。

18.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，包括在三个独立的反应器中的三个氢化阶段。

19.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，还包括在氢化之前将所述低硫混合进料预分馏成沸点为150℃至250℃或220℃至330℃的馏分的步骤。

20.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，还包括将所述极低硫和极低芳族烃流体分馏成为限定沸程的流体的步骤。