[发明专利]用于制造后段（BEOL）互连中改进的重叠的对角线硬掩模

权利要求书

1.一种用于集成电路的互连结构，所述互连结构包括：

层间电介质层，所述层间电介质层布置在衬底上方；以及

光栅结构，所述光栅结构布置在所述层间电介质层上方，并且包括共面且交替的电介质硬掩模线和导电线，其中，所述导电线中的一条或多条延伸到所述层间电介质层中，并且所述导电线中的一条或多条不延伸到所述层间电介质层中，

其中，所述导电线中的延伸到所述层间电介质层中的一条或多条中的一条延伸且完全穿过所述层间电介质层，以提供去往布置在所述衬底与所述层间电介质层之间的下方金属化层的导电过孔，并且其中，所述导电线中的延伸到所述层间电介质层中的一条或多条中的一条延伸且仅部分进入所述层间电介质层中，以为包括所述层间电介质层的金属化层提供导电金属线。

2.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述光栅结构布置在所述层间电介质层上。

3.一种制造用于集成电路的互连结构的方法，所述方法包括：

在布置于衬底上方的层间电介质层上方形成第一硬掩模层，所述第一硬掩模层包括多条第一硬掩模线，所述多条第一硬掩模线具有在第一方向上的第一光栅，并且包括与所述第一光栅交错的一个或多个牺牲材料；

在所述第一硬掩模层上方形成第二硬掩模层，所述第二硬掩模层包括多条第二硬掩模线，所述多条第二硬掩模线具有在与所述第一方向成对角线的第二方向上的第二光栅；以及

使用所述第二硬掩模层作为掩模，蚀刻所述第一硬掩模层以形成图案化的第一硬掩模层，所述蚀刻包括去除所述一个或多个牺牲材料的一部分。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述第一硬掩模层包括相对于最小临界尺寸(CD)使用间距减半或间距减为四分之一图案化工艺来形成所述多条第一硬掩模线，并且其中，形成所述第二硬掩模层包括以所述最小临界尺寸形成所述多条第二硬掩模线。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述第二硬掩模层包括形成所述多条第二硬掩模线，所述多条第二硬掩模线具有与所述第一方向成45度角的所述第二光栅。

6.根据权利要求3所述的方法，进一步包括：

在蚀刻所述第一硬掩模层之后去除所述第二硬掩模层。

7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：

在去除所述第二硬掩模层之后，在所述图案化的第一硬掩模中形成多个光桶；

曝光、显影并去除少于全部所述多个光桶的光桶以露出所述层间电介质层的部分；

完全蚀穿所述层间电介质层的所露出部分以形成过孔开口；以及

在所述过孔开口中形成金属过孔。

8.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：

在去除所述第二硬掩模层之后，在所述图案化的第一硬掩模中形成多个光桶；

曝光、显影并去除少于全部所述多个光桶的光桶以露出所述层间电介质层的部分；

仅部分蚀刻所述层间电介质层的所露出部分以形成沟槽；以及

在所述沟槽中形成金属线。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述多条第二硬掩模线包括基于碳的材料，并且其中，去除所述第二硬掩模层包括使用灰化工艺。

10.一种制造用于集成电路的互连结构的方法，所述方法包括：

形成多条硬掩模线，所述多条硬掩模线具有在布置于衬底上方的层间电介质层上方的光栅图案；

形成与所述多条硬掩模线交错的第一多个光桶，所述第一多个光桶对应于所述互连结构的金属化层中全部可能的过孔位置的前半部分；

曝光、显影并去除少于全部所述第一多个光桶的光桶以露出所述层间电介质层的第一部分；以及

完全蚀穿所述层间电介质层的所露出的第一部分，以在所述层间电介质层中形成第一过孔开口。