[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极晶体管的制造方法，包括以下工序：

准备用MCZ法制作的第1导电型半导体衬底；

在所述半导体衬底的第1表面形成第2导电型基层；

在所述基层的表面形成第1导电型发射区；

在所述第1表面形成与所述发射区、所述基层以及所述半导体衬底绝缘的栅极；

对所述半导体衬底的第2表面进行加工，据此使所述半导体衬底薄化；

在薄化后的所述半导体衬底的第2表面注入硼，据此形成第2导电型集电层；

在所述半导体衬底的内部且在与所述集电层相邻的区域注入氢，据此形成杂质浓度高于所述半导体衬底的第1导电型缓冲层。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的制造方法，其中：

形成所述集电层的工序包括：在注入硼之后，以第1温度对所述第2表面进行加热的第1退火处理；

形成所述缓冲层的工序包括：在注入氢之后，以第2温度对所述第2表面进行加热的第2退火处理。

3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极晶体管的制造方法，其中：

所述缓冲层在所述第1退火处理之后形成。

4.根据权利要求2或3所述的绝缘栅双极晶体管的制造方法，其中：

所述第1退火处理和所述第2退火处理利用加热炉来实施。

5.根据权利要求2至4中任意一项所述的绝缘栅双极晶体管的制造方法，其中：

所述第1温度为400℃以上；

所述第2温度为250℃以上500℃以下。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的绝缘栅双极晶体管的制造方法，其中：

所述栅极在将所述半导体衬底薄化之前形成。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的绝缘栅双极晶体管的制造方法，其中：

所述半导体衬底具有8英寸以上的直径。

8.一种绝缘栅双极晶体管，具有：

第1导电型半导体层，其由MCZ衬底构成；

第2导电型基层，其形成于所述半导体层之上；

第1导电型发射区，其形成在所述基层的表面；

栅极，其与所述发射区、所述基层以及所述半导体层绝缘而形成；

第2导电型集电层，其形成于所述半导体层的与形成所述基层的表面相反一侧的表面；和

第1导电型缓冲层，其形成于所述半导体层与所述集电层之间的界面，且其杂质浓度高于所述半导体层。