[发明专利]计量优化检验

权利要求书

1.一种用于确定晶片检验过程的一个或多个参数的计算机实施的方法，其包括：

采集由晶片计量系统产生的针对晶片的计量数据，其中所述晶片计量系统在所述晶片上执行测量从而产生所述计量数据，且其中采集所述计量数据包括从存储媒体采集所述计量数据，所述计量数据已经由所述晶片计量系统存储在所述存储媒体中；及

基于所述计量数据而确定用于所述晶片或另一晶片的晶片检验过程的一个或多个参数，其中由计算机系统执行所述采集及所述确定，其中所述计算机系统包括一个或多个处理器并执行来自存储媒体的指令，其中所述晶片检验过程被执行以检测所述晶片或所述另一晶片上的缺陷，且其中确定所述一个或多个参数包括：

基于所述计量数据而确定所述晶片或所述另一晶片的多个区域中的临界尺寸变化的概率；

确定所述多个区域中的至少一者，其中所述多个区域中的所述至少一者的概率高于所述多个区域中的其它者的概率；及

确定所述一个或多个参数使得所述多个区域中的所述至少一者由晶片检验系统取样，所述晶片检验系统比所述多个区域中的其它者更密集地执行所述晶片检验过程。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述计量数据包括针对所述晶片的翘曲的信息。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述计量数据包括针对所述晶片的弯曲的信息。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述计量数据包括形成于所述晶片上的薄膜的厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述计量数据包括形成于所述晶片上的经图案化结构的临界尺寸。

6.根据权利要求1所述的方法，其中针对所述晶片或所述另一晶片上的所述多个区域确定的所述晶片检验过程的所述一个或多个参数不同于针对所述晶片或所述另一晶片上的一个或多个其它区域确定的所述一个或多个参数。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片检验过程的所述一个或多个参数包括在所述晶片检验过程期间执行的缺陷检测的一个或多个参数。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片检验过程的所述一个或多个参数包括至少部分地确定针对所述晶片或所述另一晶片的所述多个区域执行的缺陷检测的灵敏度的一个或多个参数。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片检验过程的所述一个或多个参数包括在所述晶片检验过程期间执行的缺陷取样的一个或多个参数。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片检验过程的所述一个或多个参数包括对所述晶片检验系统在所述晶片检验过程期间在其处产生输出的所述晶片或所述另一晶片上的所述多个区域的选择。

11.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述一个或多个参数进一步包括：

基于所述计量数据而选择所述晶片或所述另一晶片上的一个或多个裸片；

采集由所述晶片检验系统针对所述一个或多个所选择裸片产生的输出；及

从由所述晶片检验系统针对所述一个或多个所选择裸片产生的所述输出产生参考裸片，其中所述参考裸片在所述晶片检验过程中用于检测所述晶片或所述另一晶片上的所述缺陷。

12.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述晶片检验过程的所述一个或多个参数进一步包括：

基于所述晶片检验过程的一个或多个第一参数及所述计量数据，确定所述晶片或所述另一晶片上的哪一个或多个区域将在所述晶片检验过程中产生比所述晶片或所述另一晶片上的其它区域多的噪声及所述晶片或所述另一晶片上的哪一个或多个额外区域将产生比所述晶片或所述另一晶片上的其它区域少的噪声；及

基于将产生比所述其它区域多的噪声的一个或多个区域及将产生比所述其它区域少的噪声的一个或多个额外区域而确定所述晶片检验过程的一个或多个第二参数。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述一个或多个第二参数包括一个或多个缺陷取样参数，且其中所述一个或多个缺陷取样参数经确定以优先地在将比所述其它区域产生少的噪声的所述一个或多个额外区域中选择随机缺陷。