[发明专利]计量优化检验有效
申请号: | 201480065989.2 | 申请日: | 2014-11-05 |
公开(公告)号: | CN105793970B | 公开(公告)日: | 2018-03-09 |
发明(设计)人: | A·帕克;C·马克奈顿;E·张 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 计量 优化 检验 | ||
技术领域
本发明大体来说涉及用于计量优化检验的方法及系统,其中使用针对晶片的计量数据来更改用于所述晶片或另一晶片的晶片检验过程的一或多个参数。
背景技术
以下说明及实例并不由于其包含于此章节中而被认为是现有技术。
制作例如逻辑及存储器装置的半导体装置通常包含使用众多半导体制作过程来处理例如半导体晶片的衬底以形成半导体装置的各种特征及多个层级。举例来说,光刻是涉及将图案从光罩转移到布置于半导体晶片上的抗蚀剂的半导体制作过程。半导体制作过程的额外实例包含但不限于化学机械抛光、蚀刻、沉积及离子植入。可将多个半导体装置制作于单个半导体晶片上的布置中且接着将其分离成个别半导体装置。
在半导体制造过程期间在各个步骤处使用检验过程来检测晶片上的缺陷。检验过程一直是制作例如集成电路的半导体装置的重要部分。然而,随着半导体装置的尺寸减小,检验过程变得对成功制造可接受半导体装置甚至更重要。举例来说,随着半导体装置的尺寸减小,对减小大小的缺陷的检测变得有必要,这是因为甚至相对小的缺陷也可在半导体装置中造成非想要的像差。
许多不同类型的检验系统具有可调整输出采集(例如,数据、信号及/或图像采集)及灵敏度(或缺陷检测)参数,使得可使用不同参数来检测不同缺陷或避免非想要(滋扰)事件的来源。虽然具有可调整输出采集及灵敏度参数的检验系统向半导体装置制造者呈现明显优点,但这些检验系统在将不正确输出采集及灵敏度参数用于检验过程的情况下基本上无用。虽然使用正确输出采集及灵敏度参数将对检验的结果具有显著影响,但可想像许多检验过程当前正用不正确或非优化输出采集及灵敏度参数来执行。
在用于晶片检验过程设置的当前所使用方法中,缺陷工程师可设置具有数个限制的晶片检验配方。举例来说,用户可基于有限数目个可用晶片及所述晶片上的仅经选择区域来设置检验灵敏度。用户在适应由于制作过程可变性所致的晶片与晶片间变化的努力中还可选择使用多个晶片来设置灵敏度。在其它应用中,出于设置参考裸片的目的,用户可选择来自一或多个裸片的数据来定义参考(标称)图像。在此类应用中,用户可猜测收集数据的最佳场所但所述场所可不表示真实标称状况。在另一应用中,用户可选择各种缺陷来用于再检测取样但取样族群基于其中噪声水平通常未知的裸片或位置。
在检验优化的区域中,不知晓噪声区域所在的位置可导致仅基于不可真实地反映跨越晶片的变化的噪声区或安静区而设置灵敏度。如果在安静区上进行裸片行选择,那么在扫描额外晶片时可引发额外滋扰缺陷。如果在噪声区中进行裸片选择,那么可由于阈值被设定过高而在产品晶片扫描期间遗漏真实缺陷。关于标称裸片选择,挑战是选择处于其中存在平均厚度、临界尺寸(CD)等的真实标称状况下的裸片。不具有此数据集可导致选择不表示标称特征的裸片。关于缺陷取样,在噪声区中取样的缺陷可产生低信噪比而从安静区的优化取样可产生更真实缺陷。
因此,开发不具有上文所描述的缺点中的一或多者的系统及/或方法将是有利的。
发明内容
各种实施例的以下说明不应以任何方式被视为限制所附权利要求书的标的物。
一个实施例涉及一种用于确定晶片检验过程的一或多个参数的计算机实施方法。所述方法包含采集由晶片计量系统产生的针对晶片的计量数据。所述方法还包含基于所述计量数据而确定用于所述晶片或另一晶片的晶片检验过程的一或多个参数。所述采集及确定步骤是由计算机系统执行。
可如本文中进一步所描述而执行上文所描述的方法。另外,上文所描述的方法可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步骤。此外,上文所描述的方法可由本文中所描述的系统中的任一者来执行。
另一实施例涉及一种非暂时性计算机可读媒体,其存储可在计算机系统上执行以用于执行用于确定晶片检验过程的一或多个参数的计算机实施方法的程序指令。所述计算机实施方法包含上文所描述的方法的步骤。可如本文中所描述而进一步配置所述计算机可读媒体。可如本文中进一步所描述而执行所述计算机实施方法的步骤。另外,可为其执行所述程序指令的所述计算机实施方法可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步骤。
额外实施例涉及一种经配置以确定晶片检验过程的一或多个参数的系统。所述系统包含经配置以产生针对晶片的输出的检验子系统。所述系统还包含经配置以执行上文所描述方法的采集及确定步骤的计算机子系统。可如本文中所描述而进一步配置所述系统。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科磊股份有限公司,未经科磊股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480065989.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于高压直流转换器的电子保护模块
- 下一篇:绝缘电线及线圈
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造