[发明专利]电子注入器和自由电子激光器有效
申请号: | 201480066424.6 | 申请日: | 2014-11-27 |
公开(公告)号: | CN105794055B | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | A·A·尼基佩洛夫;V·Y·巴宁;P·W·H·德加格;G·C·德维雷斯;O·W·V·弗雷杰恩斯;L·A·G·格里敏克;A·卡特勒尼克;J·A·G·阿克曼斯;E·R·洛普斯特拉;W·J·恩格伦;P·R·巴特莱杰;T·J·科南;W·P·E·M·奥普特鲁特 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | H01S3/09 | 分类号: | H01S3/09;H05H7/06 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 注入 自由电子 激光器 | ||
一种用于提供电子束的注入器装置。注入器装置包括用于提供电子束团的第一注入器和用于提供电子束团的第二注入器。注入器装置可操作为以电子束包括仅由第一注入器提供的电子束团的第一模式和电子束包括仅由第二注入器提供的电子束团的第二模式操作。
本申请与2013年12月5日提交的欧洲第13195806.8号专利申请、2014年2月21日提交的欧洲第14156258.7号专利申请以及2013年12月12日提交的欧洲第13196853.9号申请有关,此处以引证的方式将上述申请的内容全部并入。
技术领域
本发明涉及一种用于向自由电子激光器提供电子束的电子注入器。电子注入器可以形成注入器布置的一部分。自由电子激光器可以用于生成用于光刻设备的辐射。
背景技术
光刻设备是被构造为将所期望的图案应用到衬底上的机器。光刻设备例如可以用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备例如可以将来自图案形成装置(例如,掩模)的图案投影到衬底上所设置的一层辐射敏感材料(抗蚀剂)上。
光刻设备将图案投影到衬底上所用的辐射的波长确定那个衬底上可以形成的特征的最小尺寸。使用作为具有范围5nm-20nm内的波长的电磁辐射的EUV辐射的光刻设备可以用于比常规光刻设备(例如可以使用具有193nm波长的电磁辐射的光刻设备)在衬底上形成更小的特征。
用于一个或多个光刻设备的EUV辐射可以由自由电子激光器来产生。自由电子激光器可以包括提供电子束的至少一个电子注入器布置,并且可以包括至少一个注入器布置。
本发明的目的是避免或减轻与现有技术关联的一个或多个问题。
发明内容
根据本发明的第一方面,存在一种用于提供电子束的注入器装置,该注入器装置包括用于提供第一电子束的第一注入器和用于提供第二电子束的第二注入器,其中,所述注入器装置可操作于第一模式和第二模式,在第一模式中从所述注入器装置输出的所述电子束仅由所述第一注入器来提供,在第二模式中从所述注入器装置输出的所述电子束仅由所述第二注入器来提供,其中,所述注入器装置还包括合并单元,合并单元被配置为合并再循环电子束与由所述第一注入器提供的所述电子束或与由所述第二注入器提供的所述电子束。
这样,即使当第一注入器和第二注入器中的一个不可操作时,注入器也可以提供电子束。这确保注入器的故障不需要引起接收电子束的设备(诸如自由电子激光器)的停机时间。进一步地,第一方面的注入器装置在总体上保持注入器装置的操作的同时允许对第一注入器和第二注入器两者之一进行维护。
所述第二注入器可以可操作为在所述第一模式下产生电子束。所述第一注入器可以可操作为在所述第二模式下产生电子束。
所述第二注入器可以可操作为在所述第一模式下产生所述具有更低重复率的电子束团的电子束。所述第一注入器可以可操作为在所述第二模式下产生所述具有更低重复率的电子束团的电子束。例如,不向自由电子激光器提供电子束的注入器可以产生具有与供给电子束的注入器相同的电荷的、但具有非常低的重复率(或占空比)的电子束团。
所述注入器装置可以包括至少一个控向单元。所述至少一个控向单元具有来自所述第一注入器的电子束沿着第一路径传播的第一控向模式和来自所述第一注入器的电子束沿着第二路径传播的第二控向模式。
所述至少一个控向单元可以包括来自所述第二注入器的电子束沿着第三路径传播的第三控向模式和来自所述第二注入器的电子束沿着第四路径传播的第四控向模式。
第二路径和第四路径例如可以结合由电子束遵循的路径,而第一路径和第三路径可以不结合由电子束遵循的路径。这样,当至少一个控向单元以第二控向模式和第三控向模式这两者操作时,注入器装置以第一模式操作。相反,当至少一个控向单元以第一模式和第四模式这两者操作时,注入器装置以第二模式操作。
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