[发明专利]多重图案化参数的测量有效
申请号: | 201480070716.7 | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN105849885B | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | A·V·舒杰葛洛夫;S·克里许南;K·皮特林茨;T·G·奇乌拉;N·沙皮恩;S·I·潘戴夫 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多重 图案 参数 测量 | ||
1.一种改进测量的方法,其包括:
接收与半导体晶片的表面上的第一多个测量位点的测量相关联的第一数量的测量数据,其中所述第一多个测量位点中的每一者包含单个图案化度量目标和多重图案化度量目标,所述单个图案化度量目标具有由多重图案化工艺的第一图案化步骤产生的第一光栅间距,所述多重图案化度量目标具有由所述多重图案化工艺的所述第一图案化步骤和后续图案化步骤产生的第二光栅间距,其中所述单个图案化度量目标和所述多重图案化度量目标被安置成在每一测量位点处彼此相邻;
基于所述第一数量的测量数据和经组合测量模型通过计算系统确定与所述第一多个测量位点中的每一者相关联的至少一个结构参数值,其中特征化所述单个图案化度量目标的模型参数和特征化所述多重图案化度量目标的模型参数连结于所述经组合测量模型中,且其中所述至少一个结构参数值指示由所述多重图案化工艺引起的几何误差;以及
将所述至少一个结构参数值存储在存储器中。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述经组合测量模型是经训练输入-输出测量模型。
3.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括:
接收与第二多个测量位点相关联的第二数量的测量数据,其中所述第二多个测量位点中的每一者包含单个图案化度量目标和多重图案化度量目标,所述单个图案化度量目标具有由多重图案化工艺的第一图案化步骤产生的第一光栅间距,所述多重图案化度量目标具有由所述多重图案化工艺的所述第一图案化步骤和后续图案化步骤产生的第二光栅间距,其中在所述第二多个测量位点中的每一者处,特征化所述单个图案化度量目标的至少一个结构参数值和特征化所述多重图案化度量目标的至少一个结构参数值是已知的;
至少部分基于所述第二数量的测量数据确定所述输入-输出测量模型;以及
至少部分基于所述已知结构参数值训练所述输入-输出测量模型。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述第二数量的测量数据与实验设计DOE晶片上的所述第二多个测量位点的测量相关联,且特征化所述单个图案化度量目标的所述至少一个结构参数值和特征化所述多重图案化度量目标的所述至少一个结构参数值在所述第二多个测量位点中的每一者处由参考测量系统测量。
5.根据权利要求3所述的方法,其中模拟所述第二数量的测量数据和所述第二多个测量位点中的每一者处特征化所述单个图案化度量目标的所述至少一个结构参数值和特征化所述多重图案化度量目标的所述至少一个结构参数值。
6.根据权利要求3所述的方法,其进一步包括:
通过减小所述第二数量的测量数据的尺寸提取所述第二数量的测量数据的一或多个特征,且其中所述确定所述输入-输出测量模型至少部分基于所述一或多个特征。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述减小所述第二数量的测量数据的所述尺寸涉及以下项的任一者:主分量分析、非线性主分量分析、从所述第二数量的测量数据选择个别信号、和对所述第二数量的测量数据进行过滤。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述经组合测量模型是多目标模型。
9.根据权利要求8所述的方法,其进一步包括:
接收与第二多个测量位点相关联的第二数量的测量数据,其中所述第二多个测量位点中的每一者包含单个图案化度量目标和多重图案化度量目标,所述单个图案化度量目标具有由多重图案化工艺的第一图案化步骤产生的第一光栅间距,所述多重图案化度量目标具有由所述多重图案化工艺的所述第一图案化步骤和后续图案化步骤产生的第二光栅间距,其中在所述第二多个测量位点中的每一者处,特征化所述单个图案化度量目标的至少一个结构参数值和特征化所述多重图案化度量目标的至少一个结构参数值是已知的;
确定所述多目标模型以使得所述多目标模型捕捉所述单个图案化度量目标和所述多重图案化度量目标的几何特征;以及
基于所述第二数量的测量数据和所述已知结构参数值训练所述多目标模型。
10.根据权利要求9所述的方法,其进一步包括:
基于经训练多目标模型的模拟针对与所述单个图案化度量目标相关联的结构参数值的范围产生第一测量数据库;以及
基于所述经训练多目标模型的模拟针对与所述多重图案化度量目标相关联的结构参数值的范围产生第二测量数据库。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造