[发明专利]带电粒子束装置用试样架和带电粒子束装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种带电粒子束装置用试样架和带电粒子束装置，特别涉及对于使用了特征X射线的分析的高精度化具有帮助的试样架以及使用该试样架的装置。

背景技术

作为使用了电子显微镜等带电粒子束装置的试样的组成分析之一，具有能量色散X射线分光法(Energy Dispersive X-ray Spectrometry：以下称为EDX)，其通过X射线检测器检测通过向试样照射电子束而产生的特征X射线，并且在观察图像的同时进行与观察视野对应的微小区域的组成分析。

作为EDX用检测器，到目前为止使用Si(Li)半导体检测器(Si(Li)Semiconductor Detector：以下称为SSD检测器)。另外，近年来新开发了硅漂移探测器(Silicon Drift Detector：以下称为SSD检测器)，由于其优越的特性从而期待变高。

SSD检测器不需要冷却用液氮，因此能够比较自由地设计检测元件部的形状和大小，与物镜的形状相匹配地不发生干扰地缩短与试样之间的间隔。因此，通过使用SSD检测器进行分析，能够大立体角度地取入X射线，实现更高灵敏度、高能量分辨率的分析。

一般在分析时，在EDX检测器中，在检测元件紧前设置被称为准直器(Collimator)的光圈，从而屏蔽来自试样上的电子束入射点以外的散射X射线。

在专利文献1中，说明了EDX检测器，为了在EDX分析中精度良好地检测希望的X射线，该EDX检测器具备准直器，该准直器具有除了屏蔽散射X射线，还阻止由于电子束与极片的碰撞而产生的系统峰值的入射的机构。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-161710号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，近年来，为了检测器的高功能化、高分辨率化，检测元件的面积变大，从而同时取入各种特征X射线。随着该检测元件成为大的面积，散射X射线相对于从试样的电子束入射点得到的特征X射线的比例处于越来越增加的倾向。特别在使用了大面积的SDD检测器的情况下，该倾向显著。在专利文献1记载的构造中，在配置的结构方面，在试样与准直器之间需要某种程度的距离，因此能够限制的散射X射线的角度有限。当散射X射线的比例增加时，EDX光谱的P/B比(Peak-to-Background Ratio峰背比)降低，难以分析微量元素。

本发明的目的在于，提供一种试样架以及具备该试样架的带电粒子束装置，该试样架能够高效地屏蔽在EDX分析中产生的散射X射线等，实现高P/B比。

解决问题的方案

作为用于达成上述目的的一个方式，本发明提供一种试样架以及应用了该试样架的装置，该试样架是插入带电粒子束装置的试样架，该带电粒子束装置具备：带电粒子源，其产生向试样照射的带电粒子束；检测器，其检测通过照射该带电粒子束而从上述试样产生的信号，该试样架的特征在于，具备：主体部，其保持上述试样；试样压板部，其可自由装卸地设置在上述主体部，通过将其安装到该主体部来固定由该主体部保持的试样，上述试样压板部具有：第一孔，其被设置在与上述带电粒子源相对的面上，用于使上述带电粒子束通过；第二孔，其设置在与上述检测器相对的面上，向上述检测器只导入从上述试样产生的信号中的特定的信号。

发明效果

根据上述一方式，能够在更接近试样的位置屏蔽散射X射线，因此能够使可限制该散射X射线的角度变窄，从而高效地屏蔽在EDX分析中产生的散射X射线，实现高的P/B比。

附图说明

图1表示实施例1的带电粒子束装置的试样架、EDX检测器的外观。

图2表示实施例1的试样压板安装时的情况。

图3说明通过实施例1的试样压板屏蔽从试样产生的散射X射线等的情况。

图4说明实施例1的试样压板的屏蔽效果。

图5是表示实施例1的试样架和检测器之间的配置关系的俯视图。

图6表示应用了本实施方式的试样架的透射电子显微镜的结构。

图7表示应用了本实施方式的试样架的扫描电子显微镜的结构。

图8表示实施例3的试样压板的结构的图。

图9表示实施例4的大块试样的试样保持部件的结构。

图10表示实施例5的试样架的结构。

图11是表示本实施方式的EDX分析的光谱结果的图表。

图12是表示本实施方式的EDX分析的试样倾斜角度与P/B比之间的关系的图表。