[发明专利]1‑选择器N‑电阻器忆阻设备

权利要求书

1.一种1-选择器n-电阻器忆阻设备，包括：

第一电极；

选择器，其中该选择器的第一界面耦合到该第一电极；

多个忆阻器，其中每个忆阻器的第一界面耦合到该选择器的第二界面；和多个第二电极，其中每个第二电极经由每个忆阻器的第二界面耦合到一个忆阻器。

2.根据权利要求1所述的忆阻设备，其中每个忆阻器耦合到一个第二电极。

3.根据权利要求1所述的忆阻设备，其中该选择器是冠状隧道势垒选择器。

4.根据权利要求3所述的忆阻设备，其中该选择器包括形成隧穿势垒的至少三层，其中每一层是半导体或绝缘的。

5.根据权利要求4所述的忆阻设备，其中该选择器包括从由XN-XO-XN、XN-YO-ZN、XN-YO-XN、XO-XN-XO、XO-YN-XO、XO-YN-ZO、XO-YO-XO、XO-YO-ZO、XN-YN-ZN和XN-YN-XN构成的组中选择的三层结构，其中X表示不同于Y和Z的化合物形成金属。

6.根据权利要求5所述的忆阻设备，其中该化合物形成金属从由Ta、Hf、Zr、Al、Co、Ni、Fe、Nb、Mo、W、Cu、Mg、Ca和Ti构成的组中选择。

7.根据权利要求1所述的忆阻设备，其中该忆阻设备包括至少四个忆阻器。

8.根据权利要求1所述的忆阻设备，进一步包括使忆阻设备的非耦合组件电绝缘的层间电介质材料。

9.根据权利要求1所述的忆阻设备，其中该忆阻设备在感兴趣的电压范围中以至少为10的因子展现出非线性。

10.根据权利要求1所述的忆阻设备，其中该忆阻设备展现出至少10³的耐久性。

11.根据权利要求1所述的忆阻设备，进一步包括耦合在选择器和忆阻器之间的电流散布层。

12.一种计算设备，包括处理器和忆阻设备，其中该忆阻设备包括：

第一电极；

选择器，其中该选择器的第一界面耦合到该第一电极；

多个忆阻器，其中每个忆阻器的第一界面耦合到该选择器的第二界面；和多个第二电极，其中每个第二电极经由每个忆阻器的第二界面耦合到一个忆阻器，并且其中每个忆阻器耦合到一个第二电极。

13.根据权利要求12所述的计算设备，其中该选择器是冠状隧道势垒选择器。

14.一种方法，包括：

将选择器耦合到第一电极，其中该选择器经由该选择器的第一界面被耦合；

将多个忆阻器耦合到该选择器的第二界面，其中每个忆阻器经由每个忆阻器的第一界面被耦合；

将多个第二电极耦合到该忆阻器，其中每个第二电极经由每个忆阻器的第二界面耦合到一个忆阻器，并且其中每个忆阻器耦合到一个第二电极；以及

将电激励施加给忆阻设备。

15.根据权利要求14所述的方法，其中该选择器是冠状隧道势垒选择器，并且进一步包括增加忆阻设备的非线性。