[发明专利]碳化硅半导体装置有效
| 申请号： | 201480080201.5 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN106663693B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 高木保志;樽井阳一郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅半导体装置，其具有：
第1导电型的外延层，其形成于碳化硅半导体衬底的上表面；
第2导电型的阱区域，其在所述外延层的表层局部地形成；
第1导电型的源极区域，其在所述阱区域的表层局部地形成；
沟道电阻调整区域，其是在所述阱区域的表层在沿所述阱区域的上表面的方向被所述源极区域和所述外延层夹着而形成的；
栅极电极，其在所述沟道电阻调整区域的上表面隔着栅极绝缘膜而形成；
层间绝缘膜，其形成为将所述栅极电极覆盖；
源极电极，其形成于所述层间绝缘膜的上表面以及所述源极区域的上表面；以及
漏极电极，其形成于所述碳化硅半导体衬底的下表面，
所述沟道电阻调整区域是，在与由所述源极区域和所述外延层夹着所述沟道电阻调整区域的方向相交叉的方向，间断地形成第1导电型的第1杂质区域的区域，
所述第1杂质区域的杂质浓度比所述外延层的杂质浓度高。
2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其中，
所述沟道电阻调整区域是在所述阱区域的表层将所述源极区域的四周包围而形成的，
所述沟道电阻调整区域是在将所述源极区域包围的边处间断地形成所述第1杂质区域的区域。
3.根据权利要求2所述的碳化硅半导体装置，其中，
所述第1杂质区域没有形成在将所述源极区域包围的角部处。
4.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其中，
所述阱区域及所述源极区域在俯视观察时为条带形状。
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