[发明专利]用于氧化等离子体后处理以减少光刻中毒的技术及相关结构

权利要求书

1.一种被配置成接收氧化等离子体后处理以减少光刻中毒的设备，包括：

电介质层，所述电介质层具有多个布线特征；以及

蚀刻停止层，所述蚀刻停止层形成在所述电介质层上方并且具有与所述电介质层耦合的第一界面区域以及与所述第一界面区域相对设置的第二界面区域；

其中，所述第一界面区域具有基本上为零的二氧化硅(SiO₂)浓度水平，并且其中，所述第二界面区域包含二氧化硅(SiO₂)和SiN，所述二氧化硅(SiO₂)具有跨所述第二界面区域均匀分布的峰值浓度水平，在所述第二界面区域的顶表面处的SiN的浓度水平大于零。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述峰值二氧化硅(SiO₂)浓度水平为至少3×10²⁰原子/立方厘米。

3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述峰值二氧化硅(SiO₂)浓度水平为至少4×10²⁰原子/立方厘米。

4.根据权利要求1所述的设备，其中，在所述蚀刻停止层的顶表面处的SiN的浓度水平是所述蚀刻停止层中的SiN的最低浓度水平；并且其中，所述SiN的浓度水平在所述蚀刻停止层中从在所述顶表面处的最低浓度水平增加到在与所述第一界面区域的边界处的峰值水平并且跨所述第一界面区域基本上恒定。

5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一界面区域和所述第二界面区域中的SiO₂浓度水平的分布与通过包括来自所述第二界面区域的二氧化碳(CO₂)和氮气(N₂)的等离子体处理进行处理的所述蚀刻停止层一致。

6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述电介质层是第一电介质层，所述设备还包括：

管芯或晶圆的半导体衬底，其中，所述第一电介质层被设置在所述半导体衬底上；以及

第二电介质层，所述第二电介质层与所述第二界面区域耦合。

7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一界面区域和所述第二界面区域具有相同的厚度。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的设备，其中，所述多个布线特征包括多个过孔和沟槽，并且其中，所述蚀刻停止层是具有碳化硅(SiC)的蚀刻停止层。

9.一种制造集成电路(IC)结构的方法，包括：

在电介质层中形成多个布线特征；

在所述电介质层上方沉积蚀刻停止层，其中，所述蚀刻停止层具有与所述电介质层耦合的第一界面区域以及与所述第一界面区域相对设置的第二界面区域；以及

利用包括二氧化碳(CO₂)和氮气(N₂)的等离子体处理氧化所述蚀刻停止层的所述第二界面区域，

其中，所述第二界面区域包含二氧化硅(SiO₂)和SiN，所述二氧化硅(SiO₂)具有跨所述第二界面区域均匀分布的峰值浓度水平，在所述第二界面区域的顶表面处的SiN的浓度水平大于零。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成多个布线特征包括在双镶嵌工艺中形成多个过孔和沟槽。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，沉积所述蚀刻停止层包括沉积碳化硅(SiC)。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，氧化所述蚀刻停止层包括针对所述等离子体处理使用在3：1至4：1之间的二氧化碳(CO₂)与氮气(N₂)的比率。