[发明专利]用于氧化等离子体后处理以减少光刻中毒的技术及相关结构

说明书

本公开内容的实施例描述了用于氧化等离子体后处理以减少光刻中毒的技术。在一个实施例中，一种设备包括具有多个布线特征的电介质层；以及蚀刻停止层，该蚀刻停止层具有与电介质层耦合的第一界面区域以及与第一界面区域相对设置的第二界面区域。第一界面区域具有跨第一界面区域均匀分布的峰值二氧化硅(SiO₂)浓度水平，并且第二界面区域具有基本上为零的二氧化硅(SiO₂)浓度水平。可以描述和/或要求保护其它实施例。

技术领域

本发明公开的实施例总体上涉及集成电路领域，并且更具体而言，涉及用于氧化等离子体后处理以减少光刻中毒的技术及相关结构。

背景技术

在一些图案化工艺中，可以在沉积蚀刻停止(ES)层以覆盖金属线之后执行光刻步骤。来自ES层的化学物质可以直接扩散到光刻材料中以使图案化特征的尺寸偏斜，和/或在显影过程中使蚀刻速率偏斜。这种中毒效应可以呈现在图案化后显影检查临界尺寸(DCCD)和/或最终检查临界尺寸(FCCD)测量结果中。

本文提供的背景描述用于总体地呈现本公开内容的背景。除非本文另有说明，否则本部分所描述的材料不是本申请中的权利要求书的现有技术，并且不能通过包括在本部分中而被承认为现有技术或现有技术的建议。

附图说明

通过下文结合附图的详细的描述将容易理解实施例。为了便于描述，相同的附图标记表示相同的结构元件。在附图的图中通过示例而非限制的方式例示了实施例。

图1示意性地例示了根据一些实施例的晶圆形式和六边形形式的示例管芯的俯视图。

图2示意性地例示根据一些实施例的集成电路(IC)组件的截面侧视图。

图3示意性地例示了根据一些实施例的IC器件的互连层的截面侧视图。

图4示意性地例示根据一些实施例的氧化等离子体后处理的方法的流程图。

图5示意性地例示了根据一些实施例的在晶圆上的各个位置处的SiO₂和SiN的深度分布。

图6示意性地例示根据一些实施例的可以包括如本文所描述的晶体管触头组件的示例系统。

具体实施方式

本公开内容的实施例描述了用于氧化等离子体后处理以减少光刻中毒的技术及相关结构。在下文的详细描述中，参考形成其一部分的附图，其中相同的附图标记始终表示相同的部件，并且其中通过其中可以实施本公开内容的主题的说明性实施例示出。应当理解，在不脱离本公开内容的范围的情况下，可以利用其它实施例并且可以进行结构或逻辑改变。因此，下文的详细描述不应被视为具有限制意义，并且实施例的范围由所附权利要求书及其等同物限定。

出于本公开内容的目的，短语“A和/或B”表示(A)、(B)或(A和B)。出于本公开内容的目的，短语“A、B和/或C”表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A、B和C)。

本描述可以使用基于透视的描述，诸如顶部/底部、侧面、上方/下方等。这样的描述仅用于便于讨论，并且不旨在将本文所描述的实施例的应用限制到任何特定的方位。

本描述可以使用短语“在一实施例中”或“在实施例中”，其可以各自指代相同或不同实施例中的一个或多个。此外，术语“包括”、“包含”、“具有”等，如相对于本公开内容的实施例使用的，是同义的。

可以在本文使用术语“耦合”及其派生词。“耦合”可以表示以下中的一个或多个。“耦合”可以表示两个或更多个元件处于直接物理或电接触。然而，“耦合”还可以表示两个或更多个元件彼此间接地接触，但是仍然彼此协作或相互作用，并且可以表示一个或多个其它元件耦合或连接在被称为彼此耦合的元件之间。术语“直接耦合”可以表示两个或更多个元件直接接触。