[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201480082015.5 | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN107075694A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 山中信明;近森大亮;香月真一郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/38 | 分类号： | C23F1/38;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，其具有：
准备工序，准备在蚀刻使用前的氨过氧化氢溶液中预先溶解了钛的液体，作为蚀刻液；
流动工序，在所述准备工序之后进行所述蚀刻液的流动，以使得处理槽之中的所述蚀刻液的浓度均匀；以及
处理工序，在开始所述流动工序之后将具有抗蚀膜及金属膜的半导体晶片放入所述处理槽内，由此通过所述蚀刻液对所述金属膜进行蚀刻。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述金属膜是由钛形成的。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
使所述蚀刻液以经由温度调节器而流过的方式流动，由此对所述蚀刻液的温度进行调节。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述处理槽具有：第1槽，其积存所述蚀刻液；第2槽，从所述第1槽溢出的所述蚀刻液流入该第2槽；以及流路，其将所述第1槽和所述第2槽连接，
所述流动工序是使所述蚀刻液经由所述流路而从所述第2槽向所述第1槽循环。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述半导体晶片是SiC晶片，所述金属膜与所述SiC晶片进行了肖特基接合。
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