[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

当前，如下述的专利文献1、2所示，关于金属膜的湿式蚀刻，已知对蚀刻速率的变化进行抑制的各种技术。

专利文献1：日本特开2002-241968号公报

专利文献2：日本特开2009-267115号公报

发明内容

在半导体制造工艺中，使用氨过氧化氢溶液来实施钛膜的湿式蚀刻。另外，存在通过使蚀刻液进行循环而实现浓度的均匀化或者温度的恒定化的技术。但是，如果使氨过氧化氢溶液进行循环，则过氧化氢的分解受到促进，因此过氧化氢的浓度随着时间经过而降低。蚀刻速率强烈地影响过氧化氢的浓度。因此存在下述问题，即，如果在制作氨过氧化氢溶液之后经过的时间增加，则蚀刻速率降低，不能使蚀刻速率保持均匀。

本发明是为了解决如上述的课题而提出的，其目的在于提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法能够长期使蚀刻速率保持均匀。

本发明所涉及的半导体装置的制造方法具有：准备工序，准备在蚀刻使用前的氨过氧化氢溶液中预先溶解了钛的液体，作为蚀刻液；流动工序，在所述准备工序之后进行所述蚀刻液的流动，以使得处理槽之中的所述蚀刻液的浓度均匀；以及处理工序，在开始所述流动工序之后将具有抗蚀膜及金属膜的半导体晶片放入所述处理槽内，由此通过所述蚀刻液对所述金属膜进行蚀刻。

发明的效果

根据本发明，能够通过在氨过氧化氢溶液中抑制过氧化氢的分解，从而长期使蚀刻速率保持均匀。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的流程图。

图2是表示本发明的实施方式所涉及的蚀刻装置的图。

图3是表示本发明的实施方式所涉及的蚀刻装置的图。

图4是表示本发明的实施方式所涉及的蚀刻液的准备工序的图。

图5是表示本发明的实施方式所涉及的蚀刻液的准备工序的图。

图6是本发明的实施方式所涉及的蚀刻工序的图。

图7是表示与实施方式相对的对比例所涉及的实验结果的图。

图8是表示本发明的实施方式所涉及的实验结果的图。

图9是表示本发明的实施方式所涉及的实验结果的图。

具体实施方式

图1是表示本发明的实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的流程图。图2及图3是表示本发明的实施方式所涉及的湿式蚀刻装置50的图。在本实施方式中，使用湿式蚀刻装置50来实施在图1的流程图示出的蚀刻工序，对图6所示的碳化硅(SiC)晶片10之上的钛膜14进行蚀刻。

如图2所示，湿式蚀刻装置50具有处理槽20、第1配管30、循环泵32、温度调节器34、第2配管36以及浓度计38。在处理槽20积存有蚀刻液29。第1配管30的一端和另一端分别与处理槽20连接，该第1配管30用于在其内部使蚀刻液29进行循环。循环泵32及温度调节器34设置在第1配管30的中途。能够通过由循环泵32进行驱动，从而使蚀刻液29经由第1配管30而进行循环。温度调节器34设置在第1配管30的中途。能够通过使蚀刻液29经由温度调节器34而流动，从而对蚀刻液29的温度进行调节。第2配管36的一端与循环泵32的出口连接，第2配管36的另一端位于处理槽20的上方。能够从第2配管36的另一端，将蚀刻液29作为液滴39而进行供给。在第2配管36的中途设置有浓度计38。根据浓度计38的测量值能够知晓循环中的蚀刻液29的浓度。作为一个例子，第1配管30的流量也可以是设为几升/分钟，第2配管36的流量也可以是设为几cm³/分钟。

作为处理槽20的具体结构，例如也可以是如图3所示，使用具有多个槽的处理槽。在图3示出处理槽20的剖面。处理槽20具有用于放入SiC晶片10的内槽201、和以包围内槽201的方式设置的外槽202。从内槽201溢出的蚀刻液29流入外槽202。循环泵32从与外槽202的底面连接的第1配管30的一端吸出外槽202的蚀刻液29。循环泵32将蚀刻液29经由与内槽201的底面连接的第1配管30的另一端向内槽201送入。由此，蚀刻液29在处理槽20中进行循环。此外，本发明并不限定于图3的2槽构造的处理槽20，也可以是1槽构造。另外，除了使用第1配管30进行循环以外，也可以使用用于搅拌液体的公知手段对处理槽内的蚀刻液29进行搅拌。