[发明专利]源极/漏极至氮化镓晶体管中的2D电子气的低接触电阻再生长有效
| 申请号： | 201480082362.8 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN106796953B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | H·W·田;S·达斯古普塔;M·拉多萨夫列维奇;S·H·宋;S·K·加德纳;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源极 极至 氮化 晶体管 中的 电子 接触 电阻 再生 | ||
1.一种微电子结构，包括：
氮化镓层；
位于所述氮化镓层上的电荷感应层；
位于所述氮化镓层内的2D电子气；以及
包括邻接所述2D电子气的单晶部分的源极/漏极结构，其中，所述单晶部分是氮化铟镓或氮化镓，所述氮化铟镓或氮化镓具有与所述氮化镓层的六方纤锌矿晶体结构的m平面大体上平行排列的晶体取向。
2.根据权利要求1所述的微电子结构，其中，所述源极/漏极结构的所述单晶部分是N+掺杂的。
3.根据权利要求1至2中的任一项所述的微电子结构，其中，所述电荷感应层包括形成在晶体过渡层上的极化层，其中，所述晶体过渡层邻接所述氮化镓层。
4.根据权利要求3所述的微电子结构，其中，所述极化层包括氮化铝铟。
5.根据权利要求3所述的微电子结构，其中，所述晶体过渡层包括氮化铟。
6.根据权利要求3所述的微电子结构，其中，所述晶体过渡层包括氮化铝。
7.根据权利要求1至2和4至6中的任一项所述的微电子结构，还包括所述源极/漏极结构的多晶部分，所述源极/漏极结构的所述多晶部分邻接所述源极/漏极结构的所述单晶部分和所述氮化镓层。
8.一种制造微电子结构的方法，包括：
形成氮化镓层；
在所述氮化镓层上形成电荷感应层，以在所述氮化镓层内形成2D电子气；
将位于所述电荷感应层上的硬掩模图案化；
蚀刻穿过所述电荷感应层并进入所述氮化镓层，以形成凹槽；
去除所述硬掩模接近所述凹槽的一部分，以暴露所述电荷感应层的一部分；以及
从所述电荷感应层的所暴露的部分生长源极/漏极结构的单晶部分，以使得所述源极/漏极结构的所述单晶部分邻接所述2D电子气，其中，所述单晶部分是氮化铟镓或氮化镓，所述氮化铟镓或氮化镓具有与所述氮化镓层的六方纤锌矿晶体结构的m平面大体上平行排列的晶体取向。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，生长所述源极/漏极结构的所述单晶部分包括生长所述源极/漏极结构的N+掺杂的单晶部分。
10.根据权利要求8至9中的任一项所述的方法，其中，形成所述电荷感应层包括在所述氮化镓层上形成晶体过渡层，以及在晶体过渡层上形成极化层。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述极化层包括形成氮化铝铟极化层。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述晶体过渡层包括形成氮化铟晶体过渡层。
13.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述晶体过渡层包括形成氮化铝晶体过渡层。
14.根据权利要求8至9和11至13中的任一项所述的方法，还包括形成所述源极/漏极结构的多晶部分，所述源极/漏极结构的所述多晶部分邻接所述源极/漏极结构的所述单晶部分和所述氮化镓层。
15.一种电子系统，包括：
板；以及
根据权利要求1至7中的任一项所述的微电子结构，其附接到所述板。
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