[发明专利]源极/漏极至氮化镓晶体管中的2D电子气的低接触电阻再生长

说明书

本说明书涉及包括至少一个源极/漏极结构的氮化镓晶体管，该源极/漏极结构具有在氮化镓晶体管的2D电子气与源极/漏极结构之间的低接触电阻。低接触电阻可以是源极/漏极结构的至少一部分作为邻接2D电子气的单晶结构的结果。在一个实施例中，单晶结构与用作成核位置的氮化镓晶体管的电荷感应层的一部分一起生长。

技术领域

本说明书的实施例总体上涉及微电子器件的领域，并且更具体地涉及形成具有低接触电阻源极与漏极结构的氮化镓晶体管。

背景技术

微电子工业不断地努力生产越来越快且越来越小的微电子封装件以用于各种电子产品，这些电子产品包括但不限于计算机服务器产品和便携式产品，例如膝上型/上网本计算机、电子平板电脑、智能电话、数码相机等。实现这些目标的一个途径是制造片上系统(SoC)器件，其中电子系统的所有部件制造在单个芯片上。在这样的SoC器件中，功率管理集成电路(PMIC)和射频集成电路(RFIC)是关键功能块，并且在确定这种SoC器件的功率效率和形状因子方面与逻辑单元和存储器集成电路同样重要。因此，对于SoC器件，正在不断努力的是按比例缩小和/或改进PMIC和RFIC以及逻辑单元和存储器集成电路的效率。

附图说明

本公开内容的主题被特别指出并在说明书的总结部分中被清楚地要求保护。根据结合附图所采取的以下描述和所附权利要求，本公开内容的前述特征和其它特征将变得更显而易见。应当理解，附图只描绘根据本公开内容的若干实施例，并且因此不应被认为限制其范围。将通过使用附图用附加的特异性和细节来描述本公开内容，以使得本公开内容的优点可以被更容易确定，在附图中：

图1是根据本说明书的实施例的氮化镓晶体管的侧截面视图。

图2是根据本说明书的另一个实施例的氮化镓晶体管的侧截面视图。

图3-6是根据本说明书的实施例的制造氮化镓晶体管的源极/漏极结构的侧截面视图。

图7和图8示出了氮化镓晶体的斜视图和顶平面视图。

图9是根据本说明书的实施例的制造微电子结构的过程的流程图。

图10示出了根据本说明书的一个实施方式的计算设备。

具体实施方式

在以下具体实施方式中，参考附图，附图通过图示的方式示出了所要求保护的主题可以被实践的具体实施例。这些实施例以足够的细节进行描述以使本领域中的技术人员能够实践主题。应当理解，各种实施例虽然是不同的，但并不一定是相互排斥的。例如，结合一个实施例在本文中描述的特定特征、结构或特性可以在其它实施例内实施而不偏离所要求保护的主题的精神和范围。在此说明书内对“一个实施例”或“实施例”的引用意指结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本说明书内所内包含的至少一个实施方式中。因此，短语“一个实施例”或“在实施例中”的使用并不一定指同一实施例。另外，应当理解，在每个所公开的实施例内的单独元件的位置或布置可以被修改而不偏离所要求保护的主题的精神和范围。以下具体实施方式因此不应以限制性意义进行理解，并且主题的范围只由适当解释的所附权利要求连同所附权利要求享有权利的等效形式的全范围进行限定。在附图中，相似的附图标记在整体若干视图中指相同或相似元件或功能，并且在本文中描绘的元件并不一定彼此按比例，更确切地，单独的元件可以被放大或减小，以便于更容易理解在本说明书的上下文中的元件。

如本文中使用的术语“在……之上”、“到”和“在……之间”和“在……上”可以指一层相对于其它层的相对位置。在另一层“之上”或“上”或接合“到”另一层的一层可以直接与另一层接触或可以具有一个或多个中间层。在层“之间”的一层可以直接与这些层接触或可以具有一个或多个中间层。