[发明专利]伪电阻电路和电荷检测电路

权利要求书

1.一种伪电阻电路，包括：

第一MOSFET，具有漏极、源极和栅极；

第二MOSFET，具有漏极、源极和栅极，所述第二MOSFET的栅极耦接到所述第一MOSFET的栅极，所述第二MOSFET被连接成二极管；

第一电流源，耦接到所述第二MOSFET的漏极，并被配置为生成与绝对温度大致成正比的第一电流；以及

电压源，耦接到所述第二MOSFET的源极，并被配置为生成第一电压，所述第一电压是绝对温度的大致线性函数，

其中，在所述第一MOSFET的漏极和源极之间形成电阻器，所述电阻器的电阻值取决于所述第一MOSFET的栅极电压，

所述第一MOSFET和所述第二MOSFET是N通道MOSFET，

所述电压源生成的所述第一电压在绝对零度处与所述第一MOSFET的源极电压大致相等。

2.根据权利要求1所述的伪电阻电路，其中，所述电压源包括：

第一电阻器，具有第一端和第二端，其中，第二电压被施加到所述第一电阻器的第一端；以及

第二电流源，耦接在所述第一电阻器的第二端与地之间，所述第二电流源被配置为生成与绝对温度大致成正比的第二电流。

3.根据权利要求2所述的伪电阻电路，其中，所述电压源被配置为在所述第一电阻器的第二端输出所述第一电压。

4.根据权利要求3所述的伪电阻电路，其中，所述第一电流源包括被配置为生成与绝对温度大致成正比的第三电流的第三电流源。

5.根据权利要求4所述的伪电阻电路，其中，所述第一电流源基于所述第三电流生成所述第一电流。

6.根据权利要求5所述的伪电阻电路，其中，所述第二电流源基于所述第三电流生成所述第二电流。

7.根据权利要求6所述的伪电阻电路，其中，所述第二电流源包括：

第三MOSFET，具有漏极、源极和栅极；

第四MOSFET，被连接成二极管，第四MOSFET的漏极耦接到所述第三MOSFET的漏极，以及第四MOSFET的源极耦合到地；以及

第五MOSFET，第五MOSFET的栅极耦接到所述第四MOSFET的栅极，第五MOSFET的漏极耦接到所述第一电阻器的第二端，以及第五MOSFET的源极耦接到地，

所述第四MOSFET和所述第五MOSFET是N通道MOSFET，

所述第三MOSFET是P通道MOSFET。

8.根据权利要求1所述的伪电阻电路，其中，所述第一电流源包括：

第六MOSFET，具有漏极、源极和栅极；

第七MOSFET，具有漏极、源极和栅极；

第八MOSFET，具有漏极、源极和栅极；

第九MOSFET，具有漏极、源极和栅极；以及

第二电阻器，被耦接到地，

所述第六MOSFET和所述第八MOSFET是P通道MOSFET，

所述第七MOSFET和所述第九MOSFET是N通道MOSFET。

9.根据权利要求8所述的伪电阻电路，其中，将电源电压施加到所述第六MOSFET的源极。

10.根据权利要求9所述的伪电阻电路，其中，所述第七MOSFET被连接成二极管，且所述第七MOSFET的漏极耦接到所述第六MOSFET的漏极。

11.根据权利要求10所述的伪电阻电路，其中，所述第八MOSFET被连接成二极管，且将电源电压施加到所述第八MOSFET的源极，且所述第八MOSFET的栅极耦接到所述第六MOSFET的栅极。