[发明专利]伪电阻电路和电荷检测电路

说明书

公开了能够抑制电阻值随着过程或温度的波动而产生的波动并便于调整的伪电阻电路。该伪电阻电路包括第一MOSFET、第二MOSFET、生成与绝对温度大致成正比的第一电流的第一电流源、以及生成与绝对温度成大致线性函数关系的第一电压的电压源。第一MOSFET的栅极和第二MOSFET的栅极连接在一起，第二MOSFET被连接成二极管，第一电流被提供给第二MOSFET的漏极，第一电压被提供给第二MOSFET的源极，且在第一MOSFET的漏极和源极之间形成其电阻值取决于第一MOSFET的栅极电压的电阻器。

技术领域

本发明涉及伪电阻电路和电荷检测电路。

背景技术

作为安装在电子装置上的传感器，使用电荷检测电路的传感器是已知的，该电荷检测电路被配置为根据从感测单元输出的电荷来输出电压。例如，专利文献1公开了在运算放大器的输入端子和输出端子之间提供并联连接的电容器和电阻器的电荷检测电路。

在使用该电荷检测电路的传感器中，为了检测具有相当低的频率(例如，大约几mHz到几Hz)的信号，如生物信号，有必要通过电容器和电阻器来降低高通滤波器的截止频率。亦即，有必要增加电阻器的电阻值(例如，增加到大约10TΩ)。

在增加电阻器的电阻值时，使用典型的电阻性元件就电路尺寸而言是不实际的。因此，例如专利文献2公开了使用MOSFET的弱反转区来形成具有较大电阻值的电阻器的配置。

然而，使用MOSFET的弱反转区来实现电阻器时的一个缺陷是：随着过程或温度的波动，电阻值波动很大。为此，在使用MOSFET的弱反转区来实现电阻器时，有必要抑制过程中的波动或者温度的影响。例如，专利文献3公开了以下配置：使用具有温度依存性的多个电流源来调整MOSFET的栅极电压，由此抑制MOSFET的漏极电流的温度依存性。

专利文献1：日本未决专利申请No.2008-224230

专利文献2：国际公布No.95/25349

专利文献3：PCT日文翻译专利公布：No.8-509312

在专利文献3公开的配置中，为了抑制MOSFET的漏极电流的温度依存性，必须精确地设置根据实验发现的多个参数，且调整是困难的。

发明内容

已在考虑现有技术的限制的情况下完成了本文描述的发明，且本发明的目的是提供能够抑制电阻值随着或温度的波动而产生的波动并便于调整的伪电阻电路。

因此，描述了根据本发明的一方面的伪电阻电路，该伪电阻电路包括第一MOSFET、第二MOSFET、生成与绝对温度大致成正比的第一电流的第一电流源、以及生成作为绝对温度的大致线性函数的第一电压的电压源，其中，第一MOSFET的栅极和第二MOSFET的栅极连接在一起，第二MOSFET被连接成二极管，第一电流被提供给第二MOSFET的漏极，第一电压被提供给第二MOSFET的源极，且在第一MOSFET的漏极和源极之间形成其电阻值取决于第一MOSFET的栅极电压的电阻器。

根据本文的公开，有可能提供能够抑制电阻值随着过程或温度的波动而产生的波动并便于调整的伪电阻电路。

附图说明

图1是示出根据本发明实施例的伪电阻电路的配置示例的图。

图2是示出图1中示出的电路的电流源和电压源的配置示例的图。

图3是示出当仅关注N通道MOSFET时的电阻值的图。

图4是示出当关注N通道MOSFET和电流源时的电阻值的图。

图5是示出根据本发明实施例的电荷检测电路的配置示例的图。