[发明专利]基于概率信息检测半导体存储器的被最频繁存取的地址的方法有效
申请号: | 201480083360.0 | 申请日: | 2014-11-25 |
公开(公告)号: | CN107077883B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 赵相衍 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/408 | 分类号: | G11C11/408 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张帆;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 概率 信息 检测 半导体 存储器 频繁 存取 地址 方法 | ||
1.一种管理半导体存储器的方法,所述方法包括如下步骤:
根据采样时间段,从对于存储器单元阵列的存取流对行地址进行采样;
基于概率信息,确定采样的行地址是否是与被最频繁存取的目标行对应的地址;
对与目标行相邻的行执行刷新操作;其中,
所述基于概率信息包括:根据由随机数产生器产生的概率与参考概率进行比较的结果,当由随机数产生器产生的概率高于参考概率时,将行地址存储在第一缓冲器中。
2.如权利要求1所述的方法,其中,确定采样的行地址是否是与被最频繁存取的目标行对应的地址的步骤包括:
确定采样的行地址是否存储在第一缓冲器中;
当作为确定的结果,采样的行地址存储在第一缓冲器中时,增加与采样的行地址对应的计数。
3.如权利要求2所述的方法,其中,在对与目标行相邻的行执行刷新操作的步骤中,刷新与和具有存储在第一缓冲器中的计数中的最大计数的行地址对应的目标行相邻的行。
4.如权利要求3所述的方法,还包括步骤:
当作为确定的结果,采样的行地址没有存储在第一缓冲器中时,确定采样的行地址是否存储在第二缓冲器中。
5.如权利要求4所述的方法,其中,当作为确定的结果,采样的行地址存储在第二缓冲器中时,在参考时间段期间,不刷新与由采样的行地址指示的行相邻的行。
6.如权利要求5所述的方法,还包括步骤:
当作为确定的结果,采样的行地址没有存储在第二缓冲器中时,根据参考概率将采样的行地址存储在第一缓冲器中。
7.如权利要求6所述的方法,其中,如果刷新与目标行相邻的行,则将目标行地址存储到第二缓冲器中且从第一缓冲器删除所述目标行地址。
8.如权利要求6所述的方法,其中,当第一缓冲器被采样的行地址全部占用时,删除存储在第一缓冲器中的采样的行地址中的具有最小计数的行地址,或者刷新与和存储在第一缓冲器中的采样的行地址中的具有最大计数的行地址对应的行相邻的行。
9.如权利要求6所述的方法,其中,在参考时间段结束的时间点刷新与目标行相邻的行。
10.如权利要求7所述的方法,其中,当第二缓冲器被目标行地址全部占用时,删除存储在第二缓冲器中的目标行地址中的最旧的目标行地址。
11.一种半导体存储器,包括:
存储器单元阵列,包括连接到多条字线的多个RAM单元;
地址缓冲器,被构造为接收对于存储器单元阵列的存取流,并提取与所述多条字线对应的行地址;
目标行刷新(TRR)管理器,被构造为根据采样时间段对行地址进行采样,基于概率信息确定所述多条字线的被最频繁存取的目标行,并控制对与目标行相邻的行的刷新操作;
所述目标行刷新管理器包括第一缓冲器,其中,
所述目标行刷新管理器将由随机数产生器产生的概率与参考概率进行比较,并且,当由随机数产生器产生的概率高于参考概率时,目标行刷新管理器将采样的行地址存储在所述第一缓冲器中。
12.如权利要求11所述的半导体存储器,所述第一缓冲器,被构造为根据参考概率存储采样的行地址,并存储与对存储的行地址进行存取的频率相关联的计数;其中,目标行刷新管理器还包括:
第二缓冲器,被构造为存储存储在第一缓冲器中的行地址中的目标行的地址信息。
13.如权利要求12所述的半导体存储器,其中,当采样的行地址先前存储在第一缓冲器中时,与采样的行地址对应的计数增加。
14.如权利要求12所述的半导体存储器,其中,当采样的行地址先前存储在第二缓冲器中时,在参考时间段期间不刷新与对应于采样的行地址的行相邻的行。
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