[发明专利]基于概率信息检测半导体存储器的被最频繁存取的地址的方法

说明书

提供了一种管理半导体存储器的方法，所述方法包括如下步骤：根据采样时间段，从对于存储器单元阵列的存取流对行地址进行采样；基于概率信息，确定采样的行地址是否是与被最频繁存取的目标行对应的地址；对与目标行相邻的行执行刷新操作。

技术领域

在此描述的发明构思涉及一种半导体存储器，更具体地讲，涉及一种管理半导体存储器的方法。

背景技术

半导体存储装置可以是易失性的或非易失性的。易失性半导体存储装置提供高速读写操作，但是在断电时丢失其存储的数据。即使在断电时也保持存储的数据的非易失性半导体存储装置被用于不管电力是否被提供给非易失性半导体存储装置都存储被保持的内容。

易失性存储器的示例是动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)等。易失性存储器中的一些应被周期性地刷新以防止数据的丢失。连接到与被频繁存取的字线相邻的字线的存储器单元因电磁波而经历电荷的变化(例如，充电和放电)，从而导致数据的损坏。为了改善诸如DRAM的半导体存储器的可靠性，防止这种行撞击(row hammering)是很重要的。

发明内容

对发明的公开

技术问题

本发明构思的示例实施例提供了一种用于检测和管理被频繁存取的行地址的方法。

问题的解决方案

技术解决方案

本发明构思的实施例的一方面旨在提供一种管理半导体存储器的方法，所述方法包括如下步骤：根据采样时间段，从对于存储器单元阵列的存取流对行地址进行采样；基于概率信息，确定采样的行地址是否是与被最频繁存取的目标行对应的地址；对与目标行相邻的行执行刷新操作。

在示例性实施例中，确定采样的行地址是否是与被最频繁存取的目标行对应的地址的步骤包括：确定采样的行地址是否存储在第一缓冲器中；当作为确定的结果，采样的行地址存储在第一缓冲器中时，增加与采样的行地址对应的计数。

在示例性实施例中，在对与目标行相邻的行执行刷新操作的步骤中，刷新与和具有存储在第一缓冲器中的计数中的最大计数的行地址对应的目标行相邻的行。

在示例性实施例中，所述方法还包括步骤：当作为确定的结果，采样的行地址没有存储在第一缓冲器中时，确定采样的行地址是否存储在第二缓冲器中。

在示例性实施例中，当作为确定的结果，采样的行地址存储在第二缓冲器中时，在参考时间段期间，不刷新与由采样的行地址指示的行相邻的行。

在示例性实施例中，所述方法还包括步骤：当作为确定的结果，采样的行地址没有存储在第二缓冲器中时，根据参考概率将采样的行地址存储在第一缓冲器中。

在示例性实施例中，根据由随机数产生器产生的概率与参考概率进行比较的结果，执行根据参考概率将采样的行地址存储在第一缓冲器中的步骤，并且，当由随机数产生器产生的概率高于参考概率时，将行地址存储在第一缓冲器中。

在示例性实施例中，如果刷新与目标行相邻的行，则将目标行注册到第二缓冲器中且从第一缓冲器删除所述目标行。

在示例性实施例中，当第一缓冲器被采样的行地址全部占用时，删除存储在第一缓冲器中的采样的行地址中的具有最小计数的行地址，或者刷新与和存储在第一缓冲器中的采样的行地址中的具有最大计数的行地址对应的行相邻的行。

在示例性实施例中，在参考时间段结束的时间点刷新与目标行相邻的行。

在示例性实施例中，当第二缓冲器被目标行地址全部占用时，删除存储在第二缓冲器中的目标行地址中的最旧的目标行地址。