[发明专利]半桥功率半导体模块及其制造方法

权利要求书

1.一种半桥功率半导体模块，其特征在于，具备：

绝缘配线基板，其包括一张绝缘板、在所述绝缘板之上相互电绝缘地配置的正极配线导体、桥接配线导体及负极配线导体、在所述绝缘板之上配置的栅极信号配线导体和源极信号配线导体；

一个以上的高侧功率半导体装置，其背面电极接合在所述正极配线导体之上；

一个以上的低侧功率半导体装置，其背面电极接合在所述桥接配线导体之上；

桥接端子，其在所述高侧功率半导体装置与所述低侧功率半导体装置之间与所述桥接配线导体连接；

高侧端子，其在所述高侧功率半导体装置与所述桥接端子之间与所述正极配线导体连接；

低侧端子，其在所述桥接端子与所述低侧功率半导体装置之间与所述负极配线导体连接；

高侧连接机构，其连接所述高侧功率半导体装置的表面电极和所述桥接配线导体；

低侧连接机构，其连接所述低侧功率半导体装置的表面电极和所述负极配线导体；

栅极信号端子，其是与所述栅极信号配线导体连接的平板状的端子；

源极信号端子，其是与所述源极信号配线导体连接的平板状的端子；

栅极信号连接机构，其连接所述高侧功率半导体装置及所述低侧功率半导体装置的至少一方的栅极电极和所述栅极信号配线导体；

源极信号连接机构，其连接所述高侧功率半导体装置及所述低侧功率半导体装置的至少一方的源极电极和所述源极信号配线导体，

从所述绝缘板的主面的法线方向观察，所述负极配线导体隔着空隙被所述桥接配线导体包围，

所述栅极信号连接机构和所述源极信号连接机构相互平行地配置，所述栅极信号端子和所述源极信号端子相互平行地配置，

以所述栅极信号端子的平板部和所述源极信号端子的平板部相互相对且接近的方式，所述栅极信号端子从所述栅极信号配线导体的接近所述源极信号配线导体侧的区域起，沿所述绝缘板的主面的法线方向立起，所述源极信号端子从所述源极信号配线导体的接近所述栅极信号配线导体侧的区域起，沿所述绝缘板的主面的法线方向立起。

2.如权利要求1所述的半桥功率半导体模块，其特征在于，

在所述正极配线导体及所述高侧连接机构中分别流过的主电流的大小相等，方向相反且平行。

3.如权利要求1或2所述的半桥功率半导体模块，其特征在于，

在所述桥接配线导体及所述低侧连接机构中分别流过的主电流的大小相等，方向相反且平行。

4.如权利要求1或2所述的半桥功率半导体模块，其特征在于，

所述桥接端子、所述高侧端子及所述低侧端子相互接近而平行地配置。

5.如权利要求1或2所述的半桥功率半导体模块，其特征在于，

在所述高侧端子及所述桥接端子中分别流过的主电流的大小相等，方向相反且平行。

6.如权利要求1或2所述的半桥功率半导体模块，其特征在于，

在所述低侧端子及所述桥接端子中分别流过的主电流的大小相等，方向相反且平行。

7.如权利要求1或2所述的半桥功率半导体模块，其特征在于，

在所述正极配线导体中流过的主电流的方向和在所述高侧端子中流过的主电流的方向成直角。

8.如权利要求1或2所述的半桥功率半导体模块，其特征在于，

在所述桥接配线导体中流过的主电流的方向和在所述低侧端子中流过的主电流的方向大致成直角。

9.如权利要求1或2所述的半桥功率半导体模块，其特征在于，还具备：

在所述绝缘板的主面上连接在所述高侧端子与所述桥接端子之间的高侧缓冲电容器、和在所述绝缘板的主面上连接在所述桥接端子与所述低侧端子之间的低侧缓冲电容器的至少一方。

10.如权利要求1或2所述的半桥功率半导体模块，其特征在于，

所述高侧功率半导体装置及所述低侧功率半导体装置的任一方为功率开关元件，另一方为功率二极管。