[发明专利]半桥功率半导体模块及其制造方法

说明书

半桥功率半导体模块1具有绝缘配线基板15，绝缘配线基板15包括在一张绝缘板16之上或其上方相互电绝缘地配置的正极配线导体12H、桥接配线导体12B及负极配线导体21L。在正极配线导体12H及桥接配线导体12B之上接合有高侧功率半导体装置13HT及低侧功率半导体装置13LT的背面电极。高侧功率半导体装置13HT及低侧功率半导体装置13LT的表面电极经由多个接合线18BT及多个接合线18LT与桥接配线导体12B及负极配线导体21L连接。

技术领域

本发明涉及可不使热阻增大而将在主电路的路径中产生的寄生电感显著降低的半桥功率半导体模块及其制造方法。

背景技术

在一个封装内收纳有将两个功率半导体装置芯片串联连接而以其连接中点为输出端子的半桥电路的功率模块被广为人知(参照专利文献1及2)。在专利文献1及2中，将流经绝缘板的表面侧导体的主电流的方向与流经绝缘板的背面侧导体的主电流的方向设为反向。由此，实现了“接近反向平行流通”，使功率模块的寄生电感降低。

专利文献1：(日本)特开2002－112559号

专利文献2：(日本)特开2002－373971号

然而，在专利文献1及2的功率模块中存在如下的问题，即，为了从绝缘板的背面侧放出在模块内部产生的热，在背面侧导体的背面侧还设置其他的绝缘基板，故而导致功率模块的热阻增大。

发明内容

本发明是鉴于上述课题而设立的，其目的在于提供可不使热阻增大而将在主电路的路径中产生的寄生电感显著降低的半桥功率半导体模块及其制造方法。

本发明一方面的半桥功率半导体模块具有绝缘配线基板，该绝缘配线基板包括在一张绝缘板之上或其上方相互电绝缘地配置的正极配线导体、桥接配线导体及负极配线导体。在正极配线导体及桥接配线导体之上接合有高侧功率半导体装置及低侧功率半导体装置的背面电极。高侧功率半导体装置及低侧功率半导体装置的表面电极经由多个高侧连接机构及多个低侧连接机构与桥接配线导体及负极配线导体连接。

附图说明

图1(a)是表示第一实施方式的半桥功率半导体模块1的构造的平面图，图1(b)是沿着图1(a)的A－A＇剖切面的剖面图，图1(c)是半桥功率半导体模块1的电路图；

图2(a)～图2(d)是表示图1的半桥功率半导体模块1的制造方法的第一工序的平面图，图2(e)是表示图1的半桥功率半导体模块1的制造方法的第二工序的平面图；

图3(a)表示在图1的高侧功率半导体装置(开关)13HT接通时流动的主电流ILH，图3(b)表示在图1的低侧功率半导体装置(开关)13LT的二极管中流动的主电流(环流电流)ILL，图3(c)表示在图1的高侧功率半导体装置(开关)13HT的二极管中流动的主电流(环流电流)ILH；

图4(a)是表示在图1的半桥功率半导体模块1追加了缓冲电容器(25HB、 25LB)的变形例1的平面图，图4(b)是沿着图4(a)的B－B＇剖切面的剖面图；

图5(a)是表示第二实施方式的半桥功率半导体模块2的构造的平面图，图5(b)是沿着图5(a)的A－A＇剖切面的剖面图，图5(c)是半桥功率半导体模块2的电路图；

图6(a)是表示第三实施方式的半桥功率半导体模块3的构造的平面图，图6(b)是沿着图6(a)的B－B＇剖切面的剖面图，图6(c)是半桥功率半导体模块3的电路图；

图7(a)是表示第三实施方式的变形例2的半桥功率半导体模块3－1 的构造的平面图，图7(b)是沿着图7(a)的B－B＇剖切面的剖面图；

图8(a)是表示第三实施方式的变形例3的半桥功率半导体模块3－2 的构造的平面图，图8(b)是沿着图8(a)的A－A＇剖切面的剖面图；