[发明专利]用于检查基板的设备、用于检查基板的方法、大面积基板检查设备及其操作方法

说明书

技术领域

本公开内容涉及用于检查基板的设备和方法。在此所述的实施方式更具体地涉及用于检查用于显示器制造的基板、又更具体地是用于显示器制造的大面积基板的设备和方法。

背景技术

在许多应用中，检查基板以监控基板的品质是必须的。举例来说，其上沉积涂布材料的层的玻璃基板被制造而用于显示器市场。由于缺陷可能例如发生在基板的处理过程中，例如发生在基板的涂布过程中，因此必须检查基板以观察缺陷和监控显示器的品质。

显示器通常制造在大面积基板上，大面积基板具有持续增长的基板尺寸。另外，显示器，例如TFT显示器，经历持续的改善。举例来说，低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon,LTPS)是一种能够实现低能耗和关于背光的改善特性的发展结果。

基板的检查能够例如由光学系统来进行。然而，LTPS晶粒结构、晶粒尺寸、和晶粒在晶粒边缘的表面形貌(topography)特别难以使用光学系统观察，因为晶粒尺寸可能低于光学分辨率，造成晶粒无法被光学系统看见。对于基板小部分的检查也已使用带电粒子束装置，并结合表面蚀刻来进行。表面蚀刻可提高例如晶界的对比，但会牵涉到使玻璃基板破裂，因此检查的是基板的小块部分而不是整个基板。因此，在检查基板之后继续处理基板以例如检验晶粒结构对最终产品的影响是不可能的。

因此，在例如对大面积基板上的显示器的品质有着增长的需求的前提下，需要改进的用于检查大面积基板的设备和方法。

发明内容

根据一个实施方式，提供一种用于检查用于显示器制造的大面积基板的设备。所述设备包含：真空腔室；基板支撑件，布置在真空腔室中，其中基板支撑件被配置成用于支撑用于显示器制造的大面积基板；以及第一成像带电粒子束显微镜(imaging charged particle beam microscope)，被配置成用于产生用于检查由基板支撑件支撑的基板的带电粒子束，其中第一成像带电粒子束显微镜包含物镜的减速场透镜部件(retarding field lens component)。

根据另一实施方式，提供一种用于检查基板、特别是用于显示器制造的大面积基板的设备。所述设备包含：真空腔室；基板支撑件，布置在所述真空腔室中，其中所述基板支撑件提供基板接收区，所述基板接收区沿第一方向具有第一接收区尺寸；以及第一成像带电粒子束显微镜和第二成像带电粒子束显微镜，沿着所述第一方向具有一距离，所述距离为第一接收区尺寸的30％到70％。

根据又一实施方式，提供一种用于检查用于显示器制造的大面积基板的方法。所述方法包含：提供所述大面积基板于真空腔室中；以及用第一成像带电粒子束显微镜产生第一带电粒子束，其中第一带电粒子束以2keV或更低的着陆能量(landing energy)冲击在基板上。

附图说明

在本发明的剩余部分中，更详尽地阐述完整且使得本领域普通技术人员可实行的公开内容，所述描述包含对于附图的参照，其中：

图1根据本文所述的实施方式示出用于检查基板的设备的侧视图。

图2和图3根据本文所述的实施方式示出用于检查基板的设备的俯视图。

图4示出根据本文所述的实施方式的用于检查基板的设备的侧视图，其中所述设备包含用于减少震动的部件。

图5A示出根据本文所述的实施方式的成像带电粒子束的侧视图。

图5B和图5C示出使根据本文所述的实施方式的成像带电粒子束中的带电粒子束倾斜(tilt)的示意图。

图6a至图6b绘示根据本文所述的实施方式的检查基板的方法。

图7a至图7d根据本文所述的实施方式绘示成像带电粒子束在真空腔室中的不同布置。

图8a至图8c绘示根据本文所述的实施方式的检查基板的方法。

图9a至图9c根据本文所述的实施方式绘示用于检查基板的方法，所述方法使用包含单一成像带电粒子束显微镜的设备。

图10示出流程图，绘示参照图6a和图6b所述的方法。

具体实施方式

现在将对于本发明各种示例性的实施方式进行详细说明，其一或多个示例系绘示于各图之中。各个示例是以解释的方式来提供，而非意味着作为限制。举例来说，作为一个实施方式的一部分而被绘示或叙述的特征，能够被用于或结合其他实施方式，以产生又另外的实施方式。本公开内容旨在包含这样的修改和变化。