[发明专利]在处理半导体尺寸晶片中使用的保护片及半导体尺寸晶片处理方法

权利要求书

1.一种在处理半导体尺寸晶片(W)中使用的保护片(10)，该保护片(10)包括：

大致圆形的基片(12)，以及

大致环形的粘合剂层(14)，该大致环形的粘合剂层(14)涂敷至所述基片(12)的第一表面的周围部分，

其中，所述粘合剂层(14)的内径小于所述半导体尺寸晶片(W)的直径，并且

所述粘合剂层(14)的外径大于用于保持所述半导体尺寸晶片(W)的半导体尺寸环形框(20)的内径。

2.根据权利要求1所述的保护片(10)，其中，所述基片(12)的直径和所述粘合剂层(14)的外径大致相同。

3.根据权利要求1或2所述的保护片(10)，其中，所述粘合剂层(14)的内径比所述晶片(W)的直径小0.5mm至3.5mm，优选为小1.0mm至3.0mm。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的保护片(10)，其中，所述粘合剂层(14)的外径处于105mm至575mm的范围中。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的保护片(10)，其中，所述粘合剂层(14)的内径处于45mm至445mm的范围中。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的保护片(10)，其中，所述粘合剂层(14)的外径比所述粘合剂层(14)的内径大30mm至100mm，优选为大40mm至70mm。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的保护片(10')，其中，另一大致环形的粘合剂层(14')被涂敷至所述基片(12)的第二表面的周围部分。

8.根据权利要求1至6中的任一项所述的保护片(10")，其中，所述基片(12)的第二表面完全涂覆有另一粘合剂层(14')。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的保护片(10)，其中，所述粘合剂能够通过诸如热、UV辐射、电场和/或化学反应这样的外部刺激来固化。

10.一种保护片布置，该保护片布置包括：

防粘衬垫(40)，以及

多个根据前述权利要求中的任一项所述的保护片(10)，

其中，所述保护片(10)经由所述基片(12)的所述第一表面上的所述粘合剂层(14)而附接至所述防粘衬垫(40)。

11.一种用于半导体尺寸晶片的处理系统，该处理系统包括：

半导体尺寸环形框(20)，以及

根据权利要求1至9中的任一项所述的保护片(10)，

其中，所述保护片(10)经由所述基片(12)的所述第一表面上的所述粘合剂层(14)而附接至所述环形框(20)，使得所述环形框(20)的中心开口(22)被所述保护片(10)封闭。

12.一种半导体尺寸晶片处理方法，该半导体尺寸晶片处理方法包括以下步骤：

经由所述基片(12)的所述第一表面上的所述粘合剂层(14)，将根据权利要求1至9中任一项所述的保护片(10)附接至所述半导体尺寸晶片(W)的前侧(50)或背侧(52)，使得所述粘合剂层(14)的内周部分粘合至所述晶片(W)的所述前侧(50)或所述背侧(52)的外围部分，以及

在所述保护片(10)已经附接至所述晶片(W)的所述前侧(50)或所述背侧(52)之后，处理所述晶片(W)。

13.根据权利要求12所述的半导体尺寸晶片处理方法，其中，处理所述晶片(W)的步骤在所述晶片(W)的、所述保护片(10)未附接至的一侧上执行。

14.根据权利要求12所述的半导体尺寸晶片处理方法，其中，处理所述晶片(W)的步骤在所述晶片(W)的、所述保护片(10)附接至的一侧上执行。

15.根据权利要求12至14中的任一项所述的半导体尺寸晶片处理方法，所述半导体尺寸晶片处理方法还包括以下步骤：

经由所述基片(12)的所述第一表面上的所述粘合剂层(14)，将所述保护片(10)附接至半导体尺寸环形框(20)，使得所述环形框(20)的中心开口(22)被所述保护片(10)封闭。