[发明专利]在处理半导体尺寸晶片中使用的保护片及半导体尺寸晶片处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及在处理诸如半导体晶片(例如，Si晶片)这样的半导体尺寸晶片中使用的诸如保护带这样的保护片(protective sheeting)。而且，本发明涉及利用这种保护片的半导体尺寸(semiconductor-sized)晶片处理方法。

背景技术

在常规半导体尺寸晶片处理方法中，要处理的晶片通常经由带附接至环形框。将晶片附接至环形框有助于在随后的处理步骤中处理晶片，如研磨、切割、切片(例如，刀片切片或激光切片)、或抛光。

诸如半导体晶片这样的晶片可以具有在其前侧上形成的多个器件，如IC(集成电路)、LSI(“大规模集成”)或MEMS(微机电系统)。这些器件布置在晶片的前侧上的、由多个交叉或相交的分割线(也称作“划片道(street)”)分隔开的分离区域中。沿着这些分割线分割晶片，以便获得多个单独器件芯片。

为了保护形成在晶片上的器件，例如，不受碎屑或切割水的污染，在切割或切片工序之前，可以将保护带或片施加至晶片的前侧。然而，特别是对于诸如MEMS这样的敏感器件的情况来说，存在的问题在于，晶片上的器件结构可能受到在保护带或片上形成的粘合剂层(adhesive layer)的粘合力破坏，或者当将带或片从晶片剥离时，可能被器件上的粘合剂残留物污染。

为了克服上述问题，在US 8815644 B2中已经提出了一种晶片处理方法，其中，将仅在其周围区域具有环形粘合剂层的环形粘合带附接至晶片的前侧。环形粘合带的环形粘合剂层被定位成，对应于晶片的、未形成器件的周围边际区域。以这种方式，可以防止因粘合剂层而损坏或污染在晶片的器件区域中形成的器件。

根据US 8815644 B2中公开的晶片处理方法，使具有附接至其的环形粘合带的晶片经受背侧研磨步骤，同时将晶片保持在卡盘上。随后，将附接至晶片前侧的环形粘合带附接至由环形框保持的支承带上。借助于该支承带，将晶片保持在另一个卡盘上，并且通过从其背侧施加合适的激光束，而在晶片内部形成改性层(modified layer)。

由此，上述晶片处理方法需要使用至少两个不同的带，即，环形粘合带和支承带。在第一步骤中，环形粘合带必须与要处理的晶片对准，而在第二步骤中，具有附附接至其的环形粘合带的晶片必须与支承带对准。

因此，仍然需要在半导体尺寸晶片处理中使用的保护片或保护带，其允许简化处理操作，减少所需的处理设备组件数和处理步骤数。

发明内容

本发明的一个目的是，提供一种在处理半导体尺寸晶片中使用的保护片，该保护片允许减少处理设备组件数和处理步骤数，由此简化晶片处理操作。而且，本发明旨在提供利用这种保护片的半导体尺寸晶片处理方法。通过具有权利要求1的技术特征的保护片和具有权利要求12的特征的半导体尺寸晶片处理方法来实现这些目标。本发明的优选实施方式根据附属权利要求得出。

本发明提供了一种在处理例如半导体晶片的半导体尺寸晶片中使用的诸如保护带的保护片。所述保护片包括：大致圆形或圆形基片，和大致环形或环形的粘合剂层，该大致环形或环形的粘合剂层涂敷至所述基片的第一表面的周围部分或周边部分。所述大致环形或环形粘合剂层具有内径和外径。所述粘合剂层的内径小于所述半导体尺寸晶片的直径。所述粘合剂层的外径大于用于保持所述半导体尺寸晶片的半导体尺寸环形框的内径。

用于保持所述半导体尺寸晶片的所述半导体尺寸环形框具有内径和外径。用于保持所述晶片的所述框可以是大致环形框。

所述大致圆形或圆形基片是连续基片。所述基片由基片材料在没有任何中断的情况下连续形成。

在所述粘合剂层的内径内部，未将粘合剂设置在所述基片的第一表面上。而且，在所述粘合剂层的外径外侧，未将粘合剂设置在所述基片的第一表面上。

在此，术语“大致圆形”限定了周围或周边形式可能偏离正圆的形状，例如,由于设置了一个或更多个平坦或笔直部分、凹口和/或凹槽。所述基片的大致圆形形状可以对应于所述半导体尺寸晶片的周围或周边形状。所述半导体尺寸晶片的外周可以具有一个或更多个平坦或笔直部分。所述晶片的外周具有例如用于指示所述晶片的晶体取向的凹口或凹槽。

在此，术语“大致环形”限定了所述粘合剂层的形状可能偏离正环形，例如,由于存在一个或更多个平坦或笔直部分、凹口和/或凹槽。所述粘合剂层的内周或内周边形状可以对应于所述半导体尺寸晶片的外周或外周边形状。

所述大致环形或环形粘合剂层的外径大于所述半导体尺寸晶片的直径。所述大致环形或环形粘合剂层的外径可以小于所述环形框的外径。