[其他]半导体装置有效
申请号: | 201490000315.X | 申请日: | 2014-04-09 |
公开(公告)号: | CN205282447U | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 加藤登;中矶俊幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/822;H01L23/12;H01L23/522;H01L23/532;H01L27/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其焊接安装于基板,所述半导体装置的特征在于,具备:
半导体基板,其形成有功能元件;
金属膜,其形成于所述半导体基板的所述功能元件形成面,并与所述功能元件连接;
绝缘层,其形成于所述半导体基板的所述功能元件形成面;
布线电极,其以与所述半导体基板的所述功能元件形成面对置的方式形成于所述绝缘层,并与所述金属膜导通;
外部电极,其形成于所述布线电极上的一部分,并焊接于所述基板;以及
绝缘树脂层,其形成在俯视下使所述外部电极的比周缘部更靠内侧的一部分露出的开口,所述绝缘树脂层形成于所述绝缘层。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述布线电极在由Cu构成的主要材料的表面具有Ti膜,
所述外部电极与所述主要材料从所述Ti膜露出的部分接触。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
所述外部电极由形成于所述布线电极侧的Ni电极、和形成于该Ni电极的表面的Au电极构成。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,
所述外部电极是针对所述布线电极镀敷形成的膜。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
在俯视下所述开口的角部形成为曲状。
6.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述半导体装置具有多个所述外部电极,各外部电极中的所述开口分别具有不同形状。
7.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述绝缘树脂层形成为在俯视下分割所述外部电极。
8.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,
所述绝缘树脂层形成为在俯视下分割所述外部电极。
9.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述绝缘树脂层为环氧树脂、聚酰亚胺树脂或者液晶聚合物。
10.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,
所述绝缘树脂层为环氧树脂、聚酰亚胺树脂或者液晶聚合物。
11.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,
所述绝缘树脂层为环氧树脂、聚酰亚胺树脂或者液晶聚合物。
12.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,
所述绝缘树脂层为环氧树脂、聚酰亚胺树脂或者液晶聚合物。
13.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,
所述绝缘树脂层为环氧树脂、聚酰亚胺树脂或者液晶聚合物。
14.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述功能元件是ESD保护电路,所述布线电极是ESD电流的电流路。
15.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,
所述功能元件是ESD保护电路,所述布线电极是ESD电流的电流路。
16.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,
所述功能元件是ESD保护电路,所述布线电极是ESD电流的电流路。
17.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,
所述功能元件是ESD保护电路,所述布线电极是ESD电流的电流路。
18.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,
所述功能元件是ESD保护电路,所述布线电极是ESD电流的电流路。
19.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,
所述功能元件是ESD保护电路,所述布线电极是ESD电流的电流路。
20.根据权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,
所述功能元件是ESD保护电路,所述布线电极是ESD电流的电流路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造