[其他]半导体装置有效
申请号: | 201490000315.X | 申请日: | 2014-04-09 |
公开(公告)号: | CN205282447U | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 加藤登;中矶俊幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/822;H01L23/12;H01L23/522;H01L23/532;H01L27/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及在形成有功能元件的半导体基板上具备再布线层的半导体装置。
背景技术
作为一种半导体装置存在ESD(静电放电Electro-Static-Discharge)保护器件。ESD保护器件保护半导体IC等远离静电放电等的浪涌。在以移动体通信终端、数码相机、笔记本电脑为首的各种电子设备中,具备构成逻辑电路或者存储器电路等的半导体集成电路。这种半导体集成电路由于是由形成于半导体基板上的微细布线图案构成的低电压驱动电路,所以一般相对于由于静电放电等引起的浪涌较脆弱。因此,为了保护这种半导体集成电路远离浪涌,而使用ESD保护器件。
在专利文献1中,公开有在构成ESD保护电路的Si基板的表面形成有包含环氧树脂的再布线层的ESD保护器件。在再布线层的树脂层,形成有与Si基板导通的布线电极。该专利文献1是CSP(芯片尺寸封装:ChipSizePackage)型器件,实现了小型化。
专利文献1:国际公开2012/023394号小册子
然而,在专利文献1中,在制造时,有时在再布线层中的布线电极与树脂层之间产生间隙,从而存在水分等杂质从该间隙侵入,布线电极氧化或者腐蚀的担忧。在该情况下,由于该腐蚀,布线电极的电阻值增大,从而存在无法降低静电放电时的钳位电压的问题。
实用新型内容
因此,本实用新型的目的在于提供避免由于布线电极的氧化或者腐蚀引起的布线电极的电阻值增大的半导体装置。
本实用新型的半导体装置焊接安装于基板,所述半导体装置的特征在于,具备:半导体基板,其形成有功能元件;金属膜,其形成于所述半导体基板的所述功能元件形成面,并与所述功能元件连接;绝缘层,其形成于所述半导体基板的所述功能元件形成面;布线电极,其以与所述半导体基板的所述功能元件形成面对置的方式形成于所述绝缘层,并与所述金属膜导通;外部电极,其形成于所述布线电极上的一部分,并焊接于所述基板;以及绝缘树脂层,其形成在俯视下使所述外部电极的比周缘部更靠内侧的一部分露出的开口,所述绝缘树脂层形成于所述绝缘层。
在该结构中,至少在外部电极周缘部与树脂层之间不会产生间隙。假设即便在外部电极的侧面形成有间隙,也通过在外部电极周缘部形成有树脂层(抗蚀剂),而能够防止水分等杂质从间隙侵入,从而能够防止电极氧化或者腐蚀之类的问题。其结果是,由于能够防止布线电极的电阻值的增加,所以能够避免布线电极处的损失的增大。另外,例如虽有在基板上焊接安装半导体装置时,由于基板的挠曲、或者向基板的冲击等,而向外部电极产生负载,由于该负载,而外部电极的缘部翻起的担忧,但通过利用树脂层覆盖布线电极的周缘部,能够防止该翻起,从而能够进一步避免在外部电极与树脂层之间产生间隙的情况。
优选构成为所述布线电极在除形成有所述外部电极的部分以外的表层具有Ti膜,主要材料为Cu,所述外部电极是针对所述布线电极镀敷形成的膜。
在该结构中,通过形成Ti膜而提高绝缘树脂层与布线电极的接合强度。另外,通过在除形成有外部电极的部分以外的表层具有Ti膜而能够不形成抗蚀剂膜而选择性地镀敷外部电极,因此制造变得容易。
优选所述功能元件是ESD保护电路,所述布线电极是ESD电流的电流路。
在该结构中,由于能够防止作为ESD电流的电流路的布线电极的电阻值的增加,所以能够降低静电放电时的钳位电压。
根据本实用新型,由于在外部电极与树脂层之间不会产生间隙,所以能够防止水分等杂质侵入该间隙,从而能够防止电极氧化或者腐蚀之类的问题。其结果是,由于能够防止布线电极的电阻值的增加,所以能够避免布线电极处的损失的增大。
附图说明
图1是实施方式的ESD保护器件的正面剖视图。
图2是ESD保护器件的各层的俯视图。
图3是表示形成于Si基板的ESD保护电路的平面结构的图。
图4是ESD保护电路的电路图。
图5是实施方式的ESD保护器件1的主要部分剖视图。
图6A是表示实施方式的ESD保护器件的连接例的图。
图6B是表示实施方式的ESD保护器件的连接例的图。
图7是用于对实施方式的ESD保护器件的动作原理进行说明的图。
图8是用于对实施方式的ESD保护器件的动作原理进行说明的图。
图9是表示ESD保护器件的制造工序的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造